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1. (WO2017171881) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT DES SOUS-RÉGIONS POUR DÉFINIR DES TENSIONS DE SEUIL
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N° de publication :    WO/2017/171881    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/025756
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : AVCI, Uygar E.; (US).
KIM, Raseong; (US).
YOUNG, Ian A.; (US)
Mandataire : COWGER, Graciela G.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SUB REGIONS TO DEFINE THRESHOLD VOLTAGES
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AYANT DES SOUS-RÉGIONS POUR DÉFINIR DES TENSIONS DE SEUIL
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe a semiconductor device having sub regions or distances to define threshold voltages. A first semiconductor device includes a first gate stack having a first edge opposing a second edge and a first source region disposed on the semiconductor substrate. A second semiconductor device includes a second gate stack having a third edge opposing a fourth edge and a second source region disposed on the semiconductor substrate. A first distance extends from the first source region to the first edge of the first gate stack and a second distance different from the first distance extends from the second source region to the third edge of the second gate stack.
(FR)La présente invention porte, dans des modes de réalisation, sur un dispositif à semi-conducteur ayant des sous-régions ou des distances pour définir des tensions de seuil. Un premier dispositif à semi-conducteur comprend un premier empilement de grille ayant un premier bord opposé à un deuxième bord et une première région de source disposée sur le substrat à semi-conducteur. Un second dispositif à semi-conducteur comprend un second empilement de grille ayant un troisième bord opposé à un quatrième bord et une seconde région de source disposée sur le substrat à semi-conducteur. Une première distance s'étend depuis la première région de source jusqu'au premier bord du premier empilement de grille et une seconde distance, différente de la première distance, s'étend depuis la seconde région de source jusqu'au troisième bord du second empilement de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)