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1. (WO2017171880) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR METTRE EN ŒUVRE L'ÉTALONNAGE DE LA DIMENSION CRITIQUE (CD) ET DE LA PHASE DE MASQUES À CHANGEMENT DE PHASE ALTERNATIF (APSM) ET DE LA LITHOGRAPHIE DE PHASE SANS CHROME (CPL) MASQUES DE MODÉLISATION

Pub. No.:    WO/2017/171880    International Application No.:    PCT/US2016/025749
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/027
G03F 7/20
Applicants: INTEL CORPORATION
TIEN, Ming-Chun
JEONG, Seongtae
GRUNES, Harsha
Inventors: TIEN, Ming-Chun
JEONG, Seongtae
GRUNES, Harsha
Title: SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS POUR METTRE EN ŒUVRE L'ÉTALONNAGE DE LA DIMENSION CRITIQUE (CD) ET DE LA PHASE DE MASQUES À CHANGEMENT DE PHASE ALTERNATIF (APSM) ET DE LA LITHOGRAPHIE DE PHASE SANS CHROME (CPL) MASQUES DE MODÉLISATION
Abstract:
Conformément à des modes de réalisation décrits, il est prévu des procédés, des systèmes et des dispositifs destinés à mettre en œuvre l'étalonnage de dimension critique (CD) et de phase de masques à changement de phase alternatif (APSM) et de masques de lithographie à phase sans chrome (CPL) pour la modélisation. Par exemple, selon un mode de réalisation, il existe des moyens décrits pour identifier des dimensions critiques de structures d'un masque par l'intermédiaire de moyens d'éclairage du masque par l'intermédiaire d'une source lumineuse; collecter plusieurs mesures des dimensions critiques des structures du masque de manière itérative collecter plusieurs mesures des dimensions critiques des structures du masque de manière itérative consistant : (i) à capturer un diagramme de diffraction à partir de la diffraction de l'éclairage traversant le masque pour chacune des structures multiples du masque à différents décalages de focale, et (ii) à mesurer une différence de largeur entre des espaces voisins dans les diagrammes de diffraction pour chacune des structures multiples du masque aux différents décalages de focale; l'ajustement de courbe des mesures multiples collectées en fonction des dimensions critiques physiques cibles pour chacune des structures multiples pour déterminer une dimension critique delta entre les mesures physiques cibles et les mesures multiples collectées; et l'analyse de la dimension critique delta pour extraire des dimensions latérales constructives et des profondeurs de tranchées efficaces pour chacune des structures multiples du masque. D'autres modes de réalisation apparentés sont également décrits.