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1. (WO2017171878) MODULE DE DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE AYANT UN INTERPOSEUR EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171878 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025746
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
YIM, Myung Jin; US
LEE, Seungjae; KR
RAZDAN, Sandeep; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE MODULE HAVING A SILICON INTERPOSER
(FR) MODULE DE DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE AYANT UN INTERPOSEUR EN SILICIUM
Abrégé :
(EN) Optoelectronic device modules having a silicon photonics transmitter die connected to a silicon interposer are described. In an example, the optoelectronic device module includes a silicon photonics transmitter die connected to a silicon interposer, and the silicon interposer is disposed between the silicon photonics transmitter die and a substrate. The silicon interposer provides an electrical interconnect between the silicon photonics transmitter die and the substrate, and reduces a likelihood that a hybrid silicon laser on the silicon photonics transmitter die will be damaged during module operation.
(FR) L'invention concerne des modules de dispositif optoélectronique comprenant une puce d'émetteur photonique en silicium connectée à un interposeur en silicium. Dans un exemple, le module de dispositif optoélectronique comprend une puce d'émetteur photonique en silicium connectée à un interposeur en silicium et l'interposeur en silicium est disposé entre la puce d'émetteur photonique en silicium et un substrat. L'interposeur en silicium réalise une interconnexion électrique entre la puce d'émetteur photonique en silicium et le substrat et réduit une probabilité qu'un laser en silicium hybride sur la puce d'émetteur photonique en silicium soit endommagé pendant le fonctionnement du module.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)