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1. (WO2017171875) AILETTE CONTENANT DE L'INDIUM D'UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR À CŒUR RICHE EN INDIUM

Pub. No.:    WO/2017/171875    International Application No.:    PCT/US2016/025729
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: MOHAPATRA, Chandra S.
GLASS, Glenn A.
KENNEL, Harold W.
MURTHY, Anand S.
RACHMADY, Willy
DEWEY, Gilbert
MA, Sean T.
METZ, Matthew V.
KAVALIEROS, Jack T.
GHANI, Tahir
Title: AILETTE CONTENANT DE L'INDIUM D'UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR À CŒUR RICHE EN INDIUM
Abstract:
L'invention concerne un appareil qui comprend un dispositif de transistor disposé sur une surface d'un substrat de circuit, le dispositif comprenant un corps comprenant des parois latérales opposées définissant une dimension de largeur et un matériau de canal contenant de l'indium, le matériau de canal présentant, au niveau de sa base, un profil qui favorise des variations de diffusivité d'atomes d'indium dans le matériau de canal dans une direction s'éloignant des parois latérales. L'invention concerne également un procédé qui comprend la formation d'un corps de dispositif de transistor sur un substrat de circuit, le corps de dispositif de transistor comprenant des parois latérales opposées et comprenant un matériau tampon et un matériau de canal sur le matériau tampon, le matériau de canal contenant de l'indium et le matériau tampon comprenant une facette qui favorise des variations de diffusivité d'atomes d'indium dans le matériau de canal dans une direction s'éloignant des parois latérales; et la formation d'un empilement de grille sur le matériau de canal.