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1. (WO2017171873) BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT POUR SOURCE/DRAIN POUR MAÎTRISER LA DIFFUSION D'ATOMES DE DOPANT

Pub. No.:    WO/2017/171873    International Application No.:    PCT/US2016/025726
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: MOHAPATRA, Chandra S.
KENNEL, Harold W.
GLASS, Glenn A.
RACHMADY, Willy
DEWEY, Gilbert
KAVALIEROS, Jack T.
MURTHY, Anand S.
GHANI, Tahir
METZ, Matthew V.
MA, Sean T.
Title: BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT POUR SOURCE/DRAIN POUR MAÎTRISER LA DIFFUSION D'ATOMES DE DOPANT
Abstract:
L'invention concerne un appareil qui comprend un dispositif de transistor sur un substrat comprenant une couche intrinsèque qui comprend un canal; une source et un drain sur des côtés opposés du canal; une barrière de diffusion entre la couche intrinsèque et chacun de la source et du drain, la barrière de diffusion possédant une énergie de bande de conduction qui est inférieure à l'énergie de bande de conduction du canal et supérieure à celle d'un matériau de la source et du drain. L'invention concerne également un procédé qui comprend la délimitation d'une zone d'une couche intrinsèque sur un substrat pour un canal d'un dispositif de transistor; la formation d'une couche de barrière de diffusion dans une zone délimitée pour une source et un drain; la formation d'une source sur la couche de barrière de diffusion dans la zone délimitée pour la source et la formation d'un drain dans la zone délimitée pour le drain.