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1. (WO2017171870) TRANSISTOR AU NITRURE DE GALLIUM AVEC SOUS-REMPLISSAGE DE NITRURE D'ALUMINIUM POUR PERFORMANCES THERMIQUES ET RADIOFRÉQUENCE AMÉLIORÉES

Pub. No.:    WO/2017/171870    International Application No.:    PCT/US2016/025719
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: THEN, Han Wui
DASGUPTA, Sansaptak
RADOSAVLJEVIC, Marko
FISCHER, Paul B.
Title: TRANSISTOR AU NITRURE DE GALLIUM AVEC SOUS-REMPLISSAGE DE NITRURE D'ALUMINIUM POUR PERFORMANCES THERMIQUES ET RADIOFRÉQUENCE AMÉLIORÉES
Abstract:
L'invention concerne un appareil qui comprend un dispositif de transistor sur un substrat comprenant une couche intrinsèque comprenant un canal; une source et un drain sur des côtés opposés du canal; et une barrière de diffusion entre la couche intrinsèque et chacun de la source et du drain, la barrière de diffusion possédant une énergie de bande de conduction qui est inférieure à une énergie de bande de conduction du canal et supérieure à celle d'un matériau de la source et du drain. L'invention concerne également un procédé qui comprend la définition d'une zone d'une couche intrinsèque sur un substrat pour un canal d'un dispositif de transistor; la formation d'une couche barrière de diffusion dans une zone définie pour une source et un drain; et la formation d'une source sur la couche barrière de diffusion dans la zone définie pour la source et la formation d'un drain dans la zone définie pour le drain.