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1. (WO2017171866) CELLULE DE MÉMOIRE RRAM 1T1R INTÉGRÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171866 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025694
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
G11C 13/00 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
KARPOV, Elijah V.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
MAJHI, Prashant; US
MUKHERJEE, Niloy; US
SHAH, Uday; US
Mandataire :
PFLEGER, Edmund P.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTEGRATED 1T1R RRAM MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE RRAM 1T1R INTÉGRÉE
Abrégé :
(EN) One embodiment provides an apparatus. The apparatus includes a bipolar junction transistor (BJT) and an integrated resistive element. The BJT includes a base contact, a base region, a collector contact, a collector region and an integrated emitter contact. The integrated resistive element includes a resistive layer and an integrated electrode. The resistive element is positioned between the base region and the integrated emitter contact.
(FR) Un mode de réalisation de l'invention concerne un appareil. L'appareil comprend un transistor bipolaire à jonctions (BJT) ainsi qu'un élément résistif intégré. Le BJT comprend un contact de base, une zone de base, un contact de collecteur, une zone de collecteur et un contact d'émetteur intégré. L'élément résistif intégré comprend une couche résistive et une électrode intégrée. L'élément résistif est positionné entre la zone de base et le contact d'émetteur intégré.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)