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1. (WO2017171840) TECHNIQUES DE FORMATION DE LOGIQUE COMPRENANT UNE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171840 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025585
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : LEE, Kevin J.; US
GOLONZKA, Oleg; US
GHANI, Tahir; US
BRAIN, Ruth A.; US
WANG, Yih; US
Mandataire : RAYMOND, Jonathan R.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TECHNIQUES FOR FORMING LOGIC INCLUDING INTEGRATED SPIN-TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY
(FR) TECHNIQUES DE FORMATION DE LOGIQUE COMPRENANT UNE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE À COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN) Techniques are disclosed for forming a logic device including integrated spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM). In accordance with some embodiments, one or more magnetic tunnel junction (MTJ) devices may be formed within a given back-end-of-line (BEOL) interconnect layer of a host logic device. A given MTJ device may be formed, in accordance with some embodiments, over an electrically conductive layer configured to serve as a pedestal layer for the MTJ's constituent magnetic and insulator layers. In accordance with some embodiments, one or more conformal spacer layers may be formed over sidewalls of a given MTJ device and attendant pedestal layer, providing protection from oxidation and corrosion. A given MTJ device may be electrically coupled with an underlying interconnect or other electrically conductive feature, for example, by another intervening electrically conductive layer configured to serve as a thin via, in accordance with some embodiments.
(FR) Cette invention concerne des techniques de formation d'un dispositif logique comprenant une mémoire vive magnéto-résistive à couple de transfert de spin intégré (STT-MRAM). Selon certains modes de réalisation, un ou plusieurs dispositifs magnétiques de jonction à effet tunnel (MTJ) peuvent être formés à l'intérieur d'une couche d'interconnexion de bout de ligne (BEOL) donnée d'un dispositif logique hôte. Un dispositif MTJ donné peut être formé, selon certains modes de réalisation, sur une couche électriquement conductrice configurée pour servir de couche de socle pour les couches magnétiques et isolantes constitutives du dispositif MTJ. Selon certains modes de réalisation, une ou plusieurs couches d'espacement conformes peuvent être formées sur les parois latérales d'un dispositif MTJ donné et d'une couche de socle associée, ce qui permet d'obtenir une protection contre l'oxydation et la corrosion. Un dispositif MTJ donné peut être électriquement couplé à une interconnexion sous-jacente ou à une autre caractéristique électriquement conductrice, par exemple, par une autre couche électriquement conductrice intermédiaire configurée pour servir de trou d'interconnexion mince, selon certains modes de réalisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)