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1. (WO2017171837) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE TRANSFÉRÉS PAR COUCHE

Pub. No.:    WO/2017/171837    International Application No.:    PCT/US2016/025576
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 02 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 43/02
H01L 43/08
H01L 43/10
H01L 43/12
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: O'BRIEN, Kevin P.
DOYLE, Brian S.
OGUZ, Kaan
KUO, Charles C.
DOCZY, Mark L.
INDUKURI, Tejaswi K.
Title: DISPOSITIFS DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE TRANSFÉRÉS PAR COUCHE
Abstract:
L'invention concerne un empilement d'oxyde métallique monocristallin, comprenant une couche à effet tunnel ferroélectrique (FE) et une couche tampon, qui est formé par croissance épitaxiale sur un substrat de croissance. Une première couche d'électrode métallique polycristalline est déposée sur la couche à effet tunnel. Une couche de matériau de liaison est en outre déposée sur la couche d'électrode. La couche de matériau de liaison est ensuite liée à une couche de matériau sur un côté avant ou arrière d'un substrat hôte qui comprend en outre une cellule de transistor. Une fois lié, le substrat de croissance peut être retiré de l'empilement d'oxyde métallique pour achever un transfert de l'empilement d'oxyde métallique depuis le substrat de croissance au substrat hôte. Une deuxième couche d'électrode métallique polycristalline est ensuite déposée sur la couche tampon exposée, plaçant les deux électrodes à proximité immédiate de la couche à effet tunnel (FE).