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1. (WO2017171825) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPRENANT DES INTERCONNEXIONS MÉTALLIQUES AYANT DES ÉPAISSEURS DIFFÉRENTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171825 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025460
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 01.04.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
PHOA, Kinyip; US
LIN, Jui-Yen; US
NIDHI, Nidhi; US
JAN, Chia-Hong; US
Mandataire :
PRUNER, Fred G., JR; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING METAL INTERCONNECTS WITH DIFFERENT THICKNESSES
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR COMPRENANT DES INTERCONNEXIONS MÉTALLIQUES AYANT DES ÉPAISSEURS DIFFÉRENTES
Abrégé :
(EN) An apparatus includes a first metal layer, a second metal layer and a dielectric material. The first metal layer has a first thickness and a second thickness less than the first thickness, and the first metal layer comprises a first interconnect having a first thickness. The dielectric material extends between the first and second metal layers and directly contacts the first and second metal layers. The dielectric material includes a via that extends through the dielectric material. A metal material of the via directly contacts the first interconnect and the second metal layer.
(FR) L'invention concerne un appareil comprenant une première couche métallique, une deuxième couche métallique et un matériau diélectrique. La première couche métallique présente une première épaisseur et une deuxième épaisseur inférieure à la première épaisseur, et la première couche métallique comprend une première interconnexion ayant une première épaisseur. Le matériau diélectrique s'étend entre les première et deuxième couches métalliques et vient directement en contact avec les première et deuxième couches métalliques. Le matériau diélectrique comprend un trou d'interconnexion qui s'étend à travers le matériau diélectrique. Un matériau métallique du trou d'interconnexion vient directement en contact avec la première interconnexion et la deuxième couche métallique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)