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1. (WO2017171820) DISPOSITIF SÉLECTEUR MULTICOUCHE À FAIBLE COURANT DE FUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/171820    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/025433
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), H01L 45/02 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : KARPOV, Elijah V.; (US).
MAJHI, Prashant; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
SHAH, Uday; (US).
CLARKE, James S.; (US)
Mandataire : RICHARDS, Edwin E.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTILAYER SELECTOR DEVICE WITH LOW LEAKAGE CURRENT
(FR) DISPOSITIF SÉLECTEUR MULTICOUCHE À FAIBLE COURANT DE FUITE
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment includes an apparatus comprising: first and second electrodes; first and second insulation layers between the first and second electrodes; and a middle layer between the first and second insulation layers; wherein (a) the middle layer includes material that has a first resistance when the first electrode is biased at a first voltage level and a second resistance when the first electrode is biased at a second voltage level; (b) the first resistance is less than the second resistance and the first voltage level is greater than the second voltage level. Other embodiments are described herein.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention porte sur un appareil comprenant : des première et seconde électrodes ; des première et seconde couches isolantes entre les première et seconde électrodes ; et une couche intermédiaire entre les première et seconde couches isolantes ; (a) la couche intermédiaire comportant un matériau qui possède une première résistance lorsque la première électrode est polarisée à un premier niveau de tension et une seconde résistance lorsque la première électrode est polarisée à un second niveau de tension ; (b) la première résistance étant inférieure à la seconde résistance et le premier niveau de tension étant supérieur au second niveau de tension. D'autres modes de réalisation sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)