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1. (WO2017171819) MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE AVEC DU DEUTÉRIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171819 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025430
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 45/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à l'état solide utilisés comme dispositifs à ondes progressives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MAJHI, Prashant; US
PILLARISETTY, Ravi; US
SHAH, Uday; US
KARPOV, Elijah V.; US
MUKHERJEE, Niloy; US
JAIN, Pulkit; US
KILLAMPALLI, Aravind S.; US
GUPTA, Jay P.; US
CLARKE, James S.; US
Mandataire :
RICHARDS, Edwin E.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH DEUTERIUM
(FR) MÉMOIRE RÉSISTIVE À ACCÈS ALÉATOIRE AVEC DU DEUTÉRIUM
Abrégé :
(EN) An embodiment includes a memory comprising: a top electrode and a bottom electrode; an oxygen exchange layer (OEL) between the top and bottom electrodes; and an oxide layer between the OEL and the bottom electrode; wherein the oxide layer includes Deuterium and oxygen vacancies. Other embodiments are described herein.
(FR) Un mode de réalisation comprend une mémoire comprenant : une électrode supérieure et une électrode inférieure; une couche d'échange d'oxygène (OEL) entre les électrodes supérieure et inférieure; et une couche d'oxyde entre l'OEL et l'électrode inférieure; la couche d'oxyde comprenant du deutérium et des lacunes d'oxygène. D'autres modes de réalisation sont présentés dans la description.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)