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1. (WO2017171818) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE SUPPORT FONCTIONNEL PERMANENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171818 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025428
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12
Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MUELLER, Brennen K.; US
MORROW, Patrick; US
FISCHER, Paul B.; US
JUN, Kimin; US
Mandataire :
RICHARDS, Edwin E.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PERMANENT FUNCTIONAL CARRIER SYSTEMS AND METHODS
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE SUPPORT FONCTIONNEL PERMANENT
Abrégé :
(EN) An embodiment includes an apparatus comprising: a first device layer included in a top edge of a semiconductor substrate; metal layers, on the first device layer, including first and second metal layers; a second device layer on the metal layers; and additional metal layers on the second device layer; wherein the second device layer is not included in any semiconductor substrate. Other embodiments are described herein.
(FR) Un mode de réalisation selon l'invention concerne un appareil comprenant : une première couche de dispositif comprise dans un bord supérieur d'un substrat semi-conducteur ; des couches métalliques, sur la première couche de dispositif, comprenant des première et seconde couches métalliques ; une seconde couche de dispositif sur les couches métalliques ; et des couches métalliques supplémentaires sur la seconde couche de dispositif ; la seconde couche de dispositif n'est pas incluse dans un quelconque substrat semi-conducteur. L'invention concerne en outre d'autres modes de réalisation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)