WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017171817) DIÉLECTRIQUES COULANT À PARTIR DE PRÉCURSEURS EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/171817    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/025420
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MAYS, Ebony L.; (US).
LUCE, Jeanne L.; (US).
MALLON, Elizabeth; (US)
Mandataire : RICHARDS, Edwin E.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FLOWABLE DIELECTRICS FROM VAPOR PHASE PRECURSORS
(FR) DIÉLECTRIQUES COULANT À PARTIR DE PRÉCURSEURS EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment includes a semiconductor apparatus comprising: a trench with an aspect ratio of at least 7:1 (height: width); and a dielectric included in the trench; wherein the dielectric: (a) includes carbon and at least one of silicon nitride and silicon carbide, and (b) does not include an oxide. Other embodiments are described herein.
(FR)Selon un mode de réalisation, l’invention comprend un appareil à semi-conducteurs comprenant : une tranchée ayant un rapport d’aspect d'au moins 7 : 1 (hauteur : largeur) ; et un diélectrique inclus dans la tranchée ; le diélectrique : (a) comprenant du carbone et du nitrure de silicium et/ou du carbure de silicium, et (b) ne contenant pas d'oxyde. D'autres modes de réalisation sont décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)