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1. (WO2017171807) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À ÉCRAN DE PROTECTION CONTRE LES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES UTILISANT DES COUCHES MÉTALLIQUES ET DES TROUS D'INTERCONNEXION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171807 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025335
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 23/552 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
552
Protection contre les radiations, p.ex. la lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
NAIR, Vijay K.; US
RAORANE, Digvijay; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING USING METAL LAYERS AND VIAS
(FR) BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR À ÉCRAN DE PROTECTION CONTRE LES INTERFÉRENCES ÉLECTROMAGNÉTIQUES UTILISANT DES COUCHES MÉTALLIQUES ET DES TROUS D'INTERCONNEXION
Abrégé :
(EN) A semiconductor package is described herein with electromagnetic shielding using metal layers and vias. In one example, the package includes a silicon substrate having a front side and a back side, the front side including active circuitry and an array of contacts to attach to a substrate, a metallization layer over the back side of the die to shield active circuitry from interference through the back side, and a plurality of through-silicon vias coupled to the back side metallization at one end and to front side lands of the array of lands at the other end to shield active circuitry from interference through the sides of the die.
(FR) L'invention porte sur un boîtier de semi-conducteur ayant un écran de protection électromagnétique utilisant des couches métalliques et des trous d'interconnexion. Dans un exemple, le boîtier comprend un substrat en silicium ayant un côté avant et un côté arrière, le côté avant comprenant un circuit actif et un réseau de contacts à fixer à un substrat, une couche de métallisation sur le côté arrière de la puce pour protéger le circuit actif contre les interférences à travers le côté arrière, et une pluralité de trous d'interconnexion traversant le silicium couplés à la métallisation de côté arrière à une extrémité et à des plages de connexion de côté avant du réseau de plages de connexion à l'autre extrémité pour protéger le circuit actif contre les interférences à travers les côtés de la puce.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)