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1. (WO2017171796) MODULATION DE LA TAILLE D'UNE OUVERTURE POUR AMÉLIORER LA RÉSOLUTION DE LA FORMATION DE MOTIFS PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171796 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025281
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/268 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
268
les radiations étant électromagnétiques, p.ex. des rayons laser
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
TANDON, Shakul; US
PHILLIPS, Mark C.; US
CANZI, Gabriele; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APERTURE SIZE MODULATION TO ENHANCE EBEAM PATTERNING RESOLUTION
(FR) MODULATION DE LA TAILLE D'UNE OUVERTURE POUR AMÉLIORER LA RÉSOLUTION DE LA FORMATION DE MOTIFS PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS
Abrégé :
(EN) Lithographic apparatuses suitable for complementary e-beam lithography (CEBL) are described. In an example, a blanker aperture array (BAA) for an e-beam tool includes a first column of openings along a first direction and having a pitch. Each opening of the first column of openings has a dimension in the first direction. The BAA also includes a second column of openings along the first direction and staggered from the first column of openings. The second column of openings has the pitch. Each opening of the second column of openings has the dimension in the first direction. A scan direction of the BAA is along a second direction orthogonal to the first direction. The openings of the first column of openings overlap with the openings of the second column of openings by at least 5% but less than 50% of the dimension in the first direction when scanned along the second direction.
(FR) L'invention concerne des appareils lithographiques appropriés pour la lithographie par faisceau d'électrons complémentaire (CEBL). Dans un exemple, un réseau d'ouvertures d'obturateur (BAA) pour un outil à faisceau d'électrons comprend une première colonne d'ouvertures dans une première direction et ayant un pas. Chaque ouverture de la première colonne d'ouvertures possède une dimension dans la première direction. Le BAA comprend également une seconde colonne d'ouvertures dans la première direction et décalées par rapport à la première colonne d'ouvertures. La seconde colonne d'ouvertures présente ledit pas. Chaque ouverture de la seconde colonne d'ouvertures possède la dimension dans la première direction. Une direction de balayage du BAA s'étend dans une seconde direction orthogonale à la première direction. Les ouvertures de la première colonne d'ouvertures chevauchent les ouvertures de la seconde colonne d'ouvertures d'au moins 5% mais de moins de 50 % de la dimension dans la première direction lorsqu'elles sont balayées dans la seconde direction.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)