Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017171795) APPROCHES FONDÉES SUR LE DAMASQUINAGE POUR FABRIQUER UN SOCLE POUR UN DISPOSITIF À JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE (MTJ), ET STRUCTURES AINSI OBTENUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171795 N° de la demande internationale : PCT/US2016/025273
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 43/12 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
SURI, Satyarth; US
INDUKURI, Tejaswi K.; US
TURKOT, JR, Robert B.; US
CLARKE, James S.; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DAMASCENE-BASED APPROACHES FOR FABRICATING A PEDESTAL FOR A MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ) DEVICE AND THE RESULTING STRUCTURES
(FR) APPROCHES FONDÉES SUR LE DAMASQUINAGE POUR FABRIQUER UN SOCLE POUR UN DISPOSITIF À JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE (MTJ), ET STRUCTURES AINSI OBTENUES
Abrégé :
(EN) Damascene-based approaches for fabricating a pedestal for a magnetic tunnel junction (MTJ) device, and the resulting structures, are described. In an example, a magnetic tunnel junction (MTJ) device includes a metal line disposed in a dielectric layer disposed above a substrate, the metal line recessed below an uppermost surface of the dielectric layer. The MTJ device also includes a conductive pedestal disposed on the metal line and laterally adjacent to the dielectric layer. The MTJ device also includes a magnetic tunnel junction (MTJ) stack disposed on the conductive pedestal.
(FR) L'invention porte sur des approches fondées sur le damasquinage pour fabriquer un socle pour un dispositif à jonction tunnel magnétique (MTJ), et sur les structures ainsi obtenues. Dans un exemple, un dispositif à jonction tunnel magnétique (MTJ) comprend une ligne métallique disposée dans une couche diélectrique disposée au-dessus d'un substrat, la ligne métallique étant en retrait au-dessous d'une surface supérieure de la couche diélectrique. Le dispositif MTJ comprend également un socle conducteur disposé sur la ligne métallique et latéralement adjacent à la couche diélectrique. Le dispositif MTJ comprend également un empilement formant jonction tunnel magnétique (MTJ) disposé sur le socle conducteur.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)