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1. (WO2017171794) MASQUE PHOTOGRAPHIQUE OU RÉTICULE HAUTE RÉSOLUTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/171794    International Application No.:    PCT/US2016/025269
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/027
G03F 7/20
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: CHOI, Chang Ju
Title: MASQUE PHOTOGRAPHIQUE OU RÉTICULE HAUTE RÉSOLUTION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne des approches de fabrication d'un masque lithographique. Dans un exemple, un masque lithographique pour former des motifs sur des circuits à semi-conducteurs comprend un substrat. Une région sur puce est disposée sur le substrat. La région sur puce comprend un matériau de décalage à motifs en contact direct avec le substrat. Le matériau de décalage à motifs comprend des éléments ayant des parois latérales. Une région de cadre est disposée sur le substrat et entoure la région sur puce. La région de cadre comprend une couche d'absorbeur en contact direct avec le substrat.