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1. (WO2017171780) ARCHITECTURE DE RRAM 1T1R

Pub. No.:    WO/2017/171780    International Application No.:    PCT/US2016/025179
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 45/00
H01L 45/02
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: MAJHI, Prashant
KARPOV, Elijah V.
PILLARISETTY, Ravi
SHAH, Uday
MUKHERJEE, Niloy
CLARKE, James S.
Title: ARCHITECTURE DE RRAM 1T1R
Abstract:
Un mode de réalisation de l'invention concerne un appareil. L'appareil comprend une première cellule de mémoire et une deuxième cellule de mémoire. La première cellule de mémoire comprend un premier élément résistif. Le premier élément résistif comprend une première électrode supérieure, une électrode inférieure commune et une première couche d'oxyde intercalée entre la première électrode supérieure et au moins une première portion de l'électrode inférieure commune. La deuxième cellule de mémoire comprend un deuxième élément résistif adjacent au premier élément résistif. Le deuxième élément résistif comprend une deuxième électrode supérieure, l'électrode inférieure commune et une deuxième couche d'oxyde intercalée entre la deuxième électrode supérieure et au moins une deuxième portion de l'électrode inférieure commune.