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1. (WO2017171747) APPROCHES POUR L'INGÉNIERIE DE CONTRAINTES DE JONCTIONS TUNNEL MAGNÉTIQUES PERPENDICULAIRES (PMTJ), ET STRUCTURES RÉSULTANTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171747 N° de la demande internationale : PCT/US2016/024898
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 30.03.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
10
Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
OUELLETTE, Daniel G.; US
WIEGAND, Christopher J.; US
RAHMAN, MD Tofizur; US
MAERTZ, Brian; US
GOLONZKA, Oleg; US
BROCKMAN, Justin S.; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
DOYLE, Brian S.; US
OGUZ, Kaan; US
GHANI, Tahir; US
DOCZY, Mark L.; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) APPROACHES FOR STRAIN ENGINEERING OF PERPENDICULAR MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (PMTJS) AND THE RESULTING STRUCTURES
(FR) APPROCHES POUR L'INGÉNIERIE DE CONTRAINTES DE JONCTIONS TUNNEL MAGNÉTIQUES PERPENDICULAIRES (PMTJ), ET STRUCTURES RÉSULTANTES
Abrégé :
(EN) Approaches for strain engineering of perpendicular magnetic tunnel junctions (pMTJs), and the resulting structures, are described. In an example, a memory structure includes a perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) element disposed above a substrate. A lateral strain-inducing material layer is disposed on the pMTJ element. An inter-layer dielectric (ILD) layer is disposed laterally adjacent to both the pMTJ element and the lateral strain-inducing material layer. The ILD layer has an uppermost surface co-planar or substantially co-planar with an uppermost surface of the lateral strain-inducing material layer.
(FR) L'invention concerne des approches pour l'ingénierie de contraintes de jonctions tunnel magnétiques perpendiculaires (pMTJ), et les structures résultantes. Dans un exemple, une structure de mémoire comprend un élément à jonction tunnel magnétique perpendiculaire (pMTJ) disposé au-dessus d'un substrat. Une couche de matériau inducteur de contraintes latérales est disposée sur l'élément pMTJ. Une couche de diélectrique intercouche (ILD) est disposée latéralement de manière adjacente aussi bien à l'élément pMTJ qu'à la couche de matériau inducteur de contraintes latérales. La couche ILD présente une surface supérieure coplanaire ou sensiblement coplanaire avec une surface supérieure de la couche de matériau inducteur de contraintes latérales.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)