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1. (WO2017171739) AGENCEMENTS GRILLE-CANAL DE TRANSISTOR

Pub. No.:    WO/2017/171739    International Application No.:    PCT/US2016/024828
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Mar 31 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: DEWEY, Gilbert W.
RIOS, Rafael
SHIVARAMAN, Shriram
RADOSAVLJEVIC, Marko
MILLARD, Kent E.
FRENCH, Marc C.
LE, Van H.
Title: AGENCEMENTS GRILLE-CANAL DE TRANSISTOR
Abstract:
L'invention concerne des agencements grille-canal de transistor, et des procédés et des dispositifs associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un agencement grille-canal de transistor peut comprendre un matériau de canal et un empilement de grille de transistor. L'empilement de grille de transistor peut comprendre un matériau d'électrode de grille, un diélectrique à constante diélectrique élevée disposé entre le matériau d'électrode de grille et le matériau de canal, et de l'oxyde d'indium-gallium-zinc (IGZO) disposé entre le matériau diélectrique à constante diélectrique élevée et le matériau de canal.