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1. (WO2017171718) COMMUTATION DE COURANT UNIPOLAIRE DANS DES DISPOSITIFS À JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE (PMTJ) AU MOYEN D'UNE COERCIVITÉ BIPOLAIRE RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/171718 N° de la demande internationale : PCT/US2016/024573
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2016
CIB :
H01L 43/02 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
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Emploi de matériaux spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
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DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
KUO, Charles C.; US
DOCZY, Mark L.; US
OGUZ, Kaan; US
O'BRIEN, Kevin P.; US
DOYLE, Brian S.; US
Mandataire :
BRASK, Justin, K.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) UNIPOLAR CURRENT SWITCHING IN PERPENDICULAR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (PMTJ) DEVICES THROUGH REDUCED BIPOLAR COERCIVITY
(FR) COMMUTATION DE COURANT UNIPOLAIRE DANS DES DISPOSITIFS À JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE (PMTJ) AU MOYEN D'UNE COERCIVITÉ BIPOLAIRE RÉDUITE
Abrégé :
(EN) Approaches and structures for unipolar current switching in perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) devices through reduced bipolar coercivity are described. In an example, a memory array includes a plurality of bitlines and a plurality of select lines. The memory array also includes a plurality of memory elements located among and coupled to the plurality of bitlines and the plurality of select lines. Each of the plurality of memory elements includes a unipolar switching magnetic tunnel junction (MTJ) device and a select device.
(FR) L'invention concerne des approches et des structures servant à une commutation de courant unipolaire dans des dispositifs à jonction tunnel magnétique perpendiculaire (pMTJ) au moyen d'une coercivité bipolaire réduite. Dans un exemple, une matrice de mémoire comprend une pluralité de lignes de bit (BL) et une pluralité de lignes de sélection (SL). La matrice de mémoire comprend également une pluralité d'éléments de mémoire qui sont situés entre la pluralité de lignes de bit et la pluralité de lignes de sélection et y sont couplés. La pluralité d'éléments de mémoire comprend chacune un dispositif à jonction tunnel magnétique (MTJ) de commutation unipolaire et un dispositif de sélection.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)