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1. (WO2017171715) APPROCHES DE FORMATION DES MOTIFS À DIVISION DE PAS AVEC MARGE DE RECOUVREMENT ACCRUE POUR LA FABRICATION D'INTERCONNEXIONS EN FIN DE LIGNE DE FABRICATION (BEOL), ET STRUCTURES AINSI OBTENUES
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N° de publication :    WO/2017/171715    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/024553
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : WALLACE, Charles H.; (US).
GULER, Leonard P.; (US).
CHANDHOK, Manish; (US).
NYHUS, Paul A.; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PITCH DIVISION PATTERNING APPROACHES WITH INCREASED OVERLAY MARGIN FOR BACK END OF LINE (BEOL) INTERCONNECT FABRICATION AND STRUCTURES RESULTING THEREFROM
(FR) APPROCHES DE FORMATION DES MOTIFS À DIVISION DE PAS AVEC MARGE DE RECOUVREMENT ACCRUE POUR LA FABRICATION D'INTERCONNEXIONS EN FIN DE LIGNE DE FABRICATION (BEOL), ET STRUCTURES AINSI OBTENUES
Abrégé : front page image
(EN)Pitch division patterning approaches with increased overlay margin for back end of line (BEOL) interconnect fabrication, and the resulting structures, are described. In an example, a method includes forming a first plurality of conductive lines in a first sacrificial material formed above a substrate. The first plurality of conductive lines is formed along a direction of a BEOL metallization layer and is spaced apart by a pitch. The method also includes removing the first sacrificial material, forming a second sacrificial material adjacent to sidewalls of the first plurality of conductive lines, and then forming a second plurality of conductive lines adjacent the second sacrificial material. The second plurality of conductive lines is formed along the direction of the BEOL metallization layer, is spaced apart by the pitch, and is alternating with the first plurality of conductive lines. The method also includes removing the second sacrificial layer.
(FR)L'invention porte sur des approches de formation des motifs à division de pas avec marge de recouvrement accrue pour la fabrication d'interconnexions en fin de ligne de fabrication (BEOL), et sur les structures ainsi obtenues. Dans un exemple, un procédé comprend la formation d'une première pluralité de lignes conductrices dans un premier matériau sacrificiel formé au-dessus d'un substrat. La première pluralité de lignes conductrices sont formées le long d'une direction d'une couche de métallisation BEOL et sont espacées l'une de l'autre par un certain pas. Le procédé comprend également l'élimination du premier matériau sacrificiel, la formation d'un second matériau sacrificiel adjacent aux parois latérales de la première pluralité de lignes conductrices, puis la formation d'une seconde pluralité de lignes conductrices adjacentes au second matériau sacrificiel. La seconde pluralité de lignes conductrices sont formées le long de la direction de la couche de métallisation BEOL, sont espacées l'une de l'autre par le pas, et alternent avec la première pluralité de lignes conductrices. Le procédé comprend également l'élimination de la seconde couche sacrificielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)