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1. (WO2017171699) PMOS DE SILICIUM AVEC NMOS DE NITRURE DE GALLIUM POUR LA RÉGULATION DE TENSION

Pub. No.:    WO/2017/171699    International Application No.:    PCT/US2016/024420
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Mar 29 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/8238
H01L 21/336
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: DASGUPTA, Sansaptak
THEN, Han Wui
RADOSAVLJEVIC, Marko
TOLCHINSKY, Peter G.
KOTLYAR, Roza
RAO, Valluri R.
Title: PMOS DE SILICIUM AVEC NMOS DE NITRURE DE GALLIUM POUR LA RÉGULATION DE TENSION
Abstract:
La présente invention concerne un transistor au nitrure de gallium qui est formé dans une tranchée gravée dans un substrat de silicium. Une couche de nitrure de gallium se trouve sur la tranchée du substrat de silicium. Une électrode de source et une électrode de drain sont situées sur la couche de nitrure de gallium. Une électrode de grille est située sur la couche de nitrure de gallium entre l'électrode de source et l'électrode de drain. Une première couche de polarisation est située sur la couche de nitrure de gallium entre l'électrode de source et l'électrode de grille, et une seconde couche de polarisation est située sur la couche de nitrure de gallium entre l'électrode de grille et l'électrode de drain. Le substrat de silicium peut comprendre un substrat de silicium (111).