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1. (WO2017171492) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/171492    International Application No.:    PCT/KR2017/003578
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 25/065
H01L 23/31
H01L 21/56
C09J 163/00
C09J 133/10
Applicants: LG CHEM, LTD.
주식회사 엘지화학
Inventors: KIM, Jung Hak
김정학
KIM, Hee Jung
김희정
KIM, Se Ra
김세라
LEE, Kwang Joo
이광주
NAM, Seung Hee
남승희
KIM, Young Kook
김영국
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
La présente invention porte sur un dispositif semi-conducteur, et un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur au moyen d'un adhésif, pour un semi-conducteur, dont la viscosité à l'état fondu et l'indice de thixotropie sont préétablis, le dispositif semi-conducteur comprenant : un premier élément semi-conducteur fixé, par une connexion de puce retournée, sur un objet à coller; une couche adhésive pour l'enterrement d'un espace entre l'objet à coller et le premier élément semi-conducteur, et le premier élément semi-conducteur; et un deuxième élément semi-conducteur couplé au premier élément semi-conducteur en utilisant la couche adhésive comme milieu, la viscosité à l'état fondu et l'indice de thixotropie de la couche adhésive étant préétablis.