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1. (WO2017171309) MASQUE DE DÉPÔT ET PANNEAU À DELO L’UTILISANT
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N° de publication : WO/2017/171309 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/003150
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 23.03.2017
CIB :
H01L 51/56 (2006.01) ,H01L 51/00 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04
Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
Déposants :
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro, Jung-gu Seoul 04637, KR
Inventeurs :
손효원 SON, Hyo Won; KR
박재석 PARK, Jae Seok; KR
Mandataire :
김기문 KIM, Ki Moon; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-004005101.04.2016KR
Titre (EN) MASK FOR DEPOSITION AND OLED PANEL USING SAME
(FR) MASQUE DE DÉPÔT ET PANNEAU À DELO L’UTILISANT
(KO) 증착용 마스크 및 이를 이용한 OLED 패널
Abrégé :
(EN) According to an embodiment, a mask for deposition comprises a metal plate, which comprises: an effective area including a plurality of through-holes and a bridge between the plurality of through-holes; and an ineffective area arranged on the outer periphery of the effective area, wherein the through-holes are formed in a connection unit in which a first surface hole on a first surface meets a second surface hole on a second surface facing the first surface, the width of the first surface hole is smaller than the width of the second surface hole, the depth of the first surface hole is smaller than the depth of the second surface hole, and a value k calculated by using formula 1 below is less than 0.65-1. k=H2(T-H1). In the formula, T is the thickness, measured in the ineffective area, of the mask for deposition, H1 is the thickness in the direction of the first surface with respect to the connection unit at a point having the maximum thickness of a bridge between two adjacent through-holes among the plurality of through-holes, and H2 is the thickness in the direction of the second surface with respect to the connection unit at the point having the maximum thickness of the bridge between the two adjacent through-holes. According to the embodiment, a mask for deposition comprises a metal plate, wherein the metal plate comprises: an effective area including a plurality of through-holes and a bridge between the plurality of through-holes; an ineffective area arranged on the outer periphery of the effective area; a first half etching unit arranged in the ineffective area, and positioned closely to one end of the lengthwise direction of the metal plate; and a second half etching unit positioned closely to the other end opposite to the one end, wherein, when the metal plate is tensioned in the lengthwise direction by a force of 0.7 kgf, a distortion index α calculated by using formula 2 below is 0.85-1.15. α=2B/(d1+d2). In formula 2, d1 is the width, of the metal plate, measured in the ineffective area between the first half etching unit and the effective area adjacent to the first half etching unit, d2 is the width, of the metal plate, measured in the ineffective area between the second half etching unit and the effective area adjacent to the second half etching unit, and B is the width, of the metal plate, measured at an intermediate point of the effective area.
(FR) Selon un mode de réalisation, l’invention concerne un masque de dépôt qui comprend une plaque de métal, laquelle comprend : une aire efficace incluant une pluralité de trous traversants et un pont entre la pluralité de trous traversants ; et une aire inefficace agencée sur la périphérie extérieure de l’aire efficace, les trous traversants étant formés dans une unité de connexion dans laquelle un trou de première surface sur une première surface rencontre un trou de deuxième surface sur une deuxième surface faisant face à la première surface, la largeur du trou de première surface étant inférieure à la largeur du trou de deuxième surface, la profondeur du trou de première surface étant inférieure à la profondeur du trou de deuxième surface, et une valeur k calculée au moyen de la formule 1 ci-dessous étant inférieure à une valeur comprise entre 0,65 et 1. <Formule 1> k=H2(T−H1). Dans la formule, T est l’épaisseur, mesurée dans l’aire inefficace, du masque de dépôt, H1 est l’épaisseur dans la direction de la première surface par rapport à l’unité de connexion à un point dont l’épaisseur d’un pont entre deux trous traversants adjacents parmi la pluralité de trous traversants est maximale, et H2 est l’épaisseur dans la direction de la deuxième surface par rapport à l’unité de connexion au point dont l’épaisseur du pont entre les deux trous traversants adjacents est maximale. Selon le mode de réalisation, un masque de dépôt comprend une plaque de métal, la plaque de métal comprenant : une aire efficace incluant une pluralité de trous traversants et un pont entre la pluralité de trous traversants ; une aire inefficace agencée sur la périphérie extérieure de l’aire efficace ; une première unité de demi-gravure agencée dans l’aire inefficace, et positionnée à proximité d’une extrémité de la direction de la longueur de la plaque de métal ; et une deuxième unité de demi-gravure positionnée à proximité de l’autre extrémité opposée à ladite première extrémité, dans laquelle, lorsque la plaque de métal est tendue dans la direction de la longueur par une force de 0,7 kgf, un indice de distorsion α calculé au moyen de la formule 2 ci-dessous est compris entre 0,85 et 1,15. <Formule 2> α=2B/(d1+d2). Dans la formule 2, d1 est la largeur de la plaque de métal, mesurée dans l’aire inefficace entre la première unité de demi-gravure et l’aire efficace adjacente à la première unité de demi-gravure, d2 est la largeur de la plaque de métal, mesurée dans l’aire inefficace entre l’unité de demi-gravure et l’aire efficace adjacente à la deuxième unité de demi-gravure, et B est la largeur de la plaque de métal, mesurée à un point intermédiaire de l’aire efficace.
(KO) 실시예에 따른 증착용 마스크는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개의 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역;을 포함하고, 상기 관통홀은, 제 1 면 상의 제 1 면공 및 상기 제 1 면과 대향하는 제 2 면상의 제 2 면공이 만나는 연결부에 형성되고, 상기 제 1 면공의 폭은 상기 제 2 면공의 폭 보다 작고, 상기 제 1 면공의 깊이는 상기 제 2 면공의 깊이 보다 작고, 하기 식 1에 의하여 계산된 k 값은 0.65 내지 1 미만인 것을 포함한다. <식 1> k=H2(T-H1) 상기 식에서, 상기 T는 상기 비유효 영역에서 측정된 증착용 마스크의 두께이고, 상기 H1은 상기 복수 개의 관통홀 중 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 1 면 방향으로의 두께이고, 상기 H2는 상기 인접한 두 개의 관통홀 사이의 브리지의 두께가 최대인 지점에서, 상기 연결부를 기준으로 상기 제 2 면 방향으로의 두께이다. 실시예에 따른 증착용 마스크는 금속판을 포함하고, 상기 금속판은, 복수 개의 관통홀 및 상기 복수개 관통홀 사이의 브리지를 포함하는 유효 영역; 및 상기 유효 영역의 외곽에 배치되는 비유효 영역을 포함하고, 상기 비유효 영역에 배치되고, 상기 금속판의 길이방향의 일단에 가깝게 위치하는 제 1 하프 에칭부 및 상기 일단과 반대되는 타단에 가깝게 위치하는 제 2 하프 에칭부를 포함하고, 상기 금속판을 0.7kgf의 힘으로 상기 길이 방향으로 인장하였을 때, 하기 식 2에 의해 계산된 뒤틀림 지수 α는 0.85 내지 1.15인 것을 포함한다. <식 2> α=2B/(d1+d2) 상기 식 2에서, 상기 d1은 상기 제 1 하프 에칭부 및 상기 제 1 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고, 상기 d2는 상기 제 2 하프 에칭부 및 상기 제 2 하프 에칭부와 인접한 유효 영역 사이의 비 유효 영역에서 측정된 금속판의 폭이고, 상기 B는 상기 유효 영역의 중간 지점에서 측정된 금속판의 폭이다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)