Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017171232) PROCÉDÉ D'ANALYSE DE PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PLAQUETTE AINSI FABRIQUÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/171232 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/001622
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 15.02.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,C30B 15/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
20
Commande ou régulation
Déposants :
에스케이실트론 주식회사 SK SILTRON CO., LTD. [KR/KR]; 경상북도 구미시 임수로 53 53 Imsu-ro Gumi-si Gyeongsangbuk-do 39386, KR
Inventeurs :
이재형 LEE, Jae Hyeong; KR
박상수 PARK, Sang Soo; KR
홍세준 HONG, Se Jun; KR
Mandataire :
이승찬 LEE, Seung Chan; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-003932431.03.2016KR
Titre (EN) METHOD FOR ANALYZING MONOCRYSTALLINE SILICON WAFER AND WAFER MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ D'ANALYSE DE PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PLAQUETTE AINSI FABRIQUÉE
(KO) 단결정 실리콘 웨이퍼 분석 방법 및 이 방법에 의해 제조된 웨이퍼
Abrégé :
(EN) A method for analyzing a monocrystalline silicon wafer of an embodiment comprises the steps of: heat-treating a monocrystalline silicon wafer to be analyzed; obtaining the cumulative distribution of oxygen precipitation nuclei density included in the heat-treated monocrystalline silicon wafer by temperature; obtaining a characteristic temperature at which a rate of generation of oxygen precipitation nuclei is maximized, using cumulative distribution; and identifying the type of point defects included in the monocrystalline silicon wafer by using the characteristic temperature.
(FR) Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé d'analyse d'une plaquette de silicium monocristallin dont les étapes consistent : à traiter thermiquement une plaquette de silicium monocristallin à analyser; à obtenir la distribution cumulative de la densité de noyaux de précipitation d'oxygène incluse dans la plaquette de silicium monocristallin traitée thermiquement selon la température; à obtenir une température caractéristique à laquelle un taux de génération de noyaux de précipitation d'oxygène est maximisé, au moyen de la distribution cumulative; et à identifier le type de défauts de points inclus dans la plaquette de silicium monocristallin au moyen de la température caractéristique.
(KO) 실시 예의 단결정 실리콘 웨이퍼 분석 방법은 분석 대상이 되는 단결정 실리콘 웨이퍼를 열처리하는 단계와, 열처리된 단결정 실리콘 웨이퍼에 포함된 산소 석출핵 밀도의 온도별 누적 분포를 구하는 단계와, 누적 분포를 이용하여, 산소 석출핵의 생성 속도가 최대가 되는 특성 온도를 구하는 단계 및 특성 온도를 이용하여 단결정 실리콘 웨이퍼에 포함된 점결함의 종류를 식별하는 단계를 포함한다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)