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1. (WO2017171214) CAPTEUR DE GAZ THERMOCHIMIQUE UTILISANT UN FILM MINCE THERMOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/171214 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/000838
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 24.01.2017
CIB :
G01N 25/32 (2006.01) ,C25D 7/12 (2006.01) ,C25D 17/00 (2006.01) ,C25D 11/32 (2006.01) ,H01L 35/12 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
25
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens thermiques
20
en recherchant la production de quantités de chaleur, c. à d. la calorimétrie, p.ex. en mesurant la chaleur spécifique, en mesurant la conductivité thermique
22
sur l'oxydation par combustion ou par catalyse, p.ex. des constituants des mélanges gazeux
28
l'élévation de température des gaz résultant de la combustion étant mesurée directement
30
Utilisation des éléments électriques réagissant à la chaleur
32
Utilisation d'éléments thermo-électriques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par l'objet à revêtir
12
Semi-conducteurs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
17
Éléments structurels, ou leurs assemblages, des cellules pour revêtement électrolytique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11
Revêtements électrolytiques par réaction de surface, c. à d. par formation de couches de conversion
02
Anodisation
32
de matériaux semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35
Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12
Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
Déposants :
한양대학교 에리카산학협력단 INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY ERICA CAMPUS [KR/KR]; 경기도 안산시 상록구 한양대학로 55 55, Hanyangdaehak-ro Sangrok-gu, Ansan-si Gyeonggi-do 15588, KR
Inventeurs :
좌용호 CHOA, Yong Ho; KR
김세일 KIM, Seil; KR
송요셉 SONG, Yoseb; KR
Mandataire :
고길수 KO, Kil-Su; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-003884431.03.2016KR
10-2016-017007014.12.2016KR
Titre (EN) THERMOCHEMICAL GAS SENSOR USING THERMOELECTRIC THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ THERMOCHIMIQUE UTILISANT UN FILM MINCE THERMOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 열전 박막을 이용한 열화학 가스 센서 및 그 제조방법
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a thermochemical gas sensor comprising: a substrate having an insulating layer; a seed layer provided above the insulating layer; a thermoelectric thin film provided above the seed layer; an electrode provided above the thermoelectric thin film; a catalyst layer provided above the electrode and inducing an exothermic reaction through contact with gas to be detected; and an electrode line electrically connected with the electrode, wherein the thermoelectric thin film is formed of a material including a chalcogenide, and the chalcogenide is a compound containing at least one chalcogen selected from the group consisting of selenium (Se) and tellurium (Te). According to the present invention, the thermochemical gas sensor can be miniaturized, has a wide detectable concentration zone of gas due to being based on a thermoelectric film, causes no physical/chemical change, such as a phase change, in the thermoelectric film in spite of repetitive exposure to gas, and can detect various desired kinds of gas through a change of the catalyst, which selectively reacts with the gas to be detected.
(FR) La présente invention concerne un capteur de gaz thermochimique comprenant : un substrat comportant une couche isolante; une couche de germe disposée au-dessus de la couche isolante; un film mince thermoélectrique disposé au-dessus de la couche de germe; une électrode disposée au-dessus du film mince thermoélectrique; une couche de catalyseur disposée au-dessus de l'électrode et induisant une réaction exothermique par contact avec le gaz à détecter; et une ligne d'électrode électriquement connectée à l'électrode, le film mince thermoélectrique étant formé d'un matériau comprenant un chalcogénure, et le chalcogénure étant un composé contenant au moins un chalcogène choisi dans le groupe constitué du sélénium (Se) et du tellure (Te). Selon la présente invention, le capteur de gaz thermochimique peut être miniaturisé, a une large zone de concentration détectable de gaz en raison du fait qu'elle est basée sur un film thermoélectrique, ne cause aucun changement physique/chimique, tel qu'un changement de phase, dans le film thermoélectrique malgré une exposition répétée à un gaz, et peut détecter différents types de gaz souhaités au moyen d'un changement de catalyseur, qui réagit sélectivement avec le gaz devant être détecté.
(KO) 본 발명은, 절연층이 구비된 기판; 상기 절연층 상부에 구비된 씨드층(seed layer); 상기 씨드층 상부에 구비된 열전 박막(thermoelectric thin film); 상기 열전 박막 상부에 구비된 전극; 상기 전극 상부에 구비되고 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 촉매층; 및 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 포함하며, 상기 열전 박막은 칼코지나이드를 포함하는 물질로 이루어지고, 상기 칼코지나이드는 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 소형화가 가능하고, 열전 박막을 기반으로 하므로 가스를 감지할 수 있는 농도 영역대가 넓으며, 반복되어 가스에 노출되어도 열전 박막에 상변화와 같은 물리/화학적 변화를 수반하지 않으며, 감지하고자 하는 가스와 선택적으로 반응하는 촉매의 변화를 통해 원하는 종류의 다양한 가스를 감지할 수 있다.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)