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1. (WO2017171181) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DURCI FORMÉ À PARTIR DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF DOTÉ D'UN FILM DURCI
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N° de publication :    WO/2017/171181    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/012809
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 08.11.2016
CIB :
G03F 7/004 (2006.01), C08L 83/06 (2006.01), G02F 1/1335 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG SDI CO., LTD. [KR/KR]; 150-20 Gongse-ro, Giheung-gu, Yongin-si, Gyeonggi-do 17084 (KR)
Inventeurs : YU, Hong Jeong; (KR).
KIM, Woo Han; (KR).
KIM, Taesoo; (KR).
PARK, Jonghee; (KR).
BAEK, Yunhee; (KR).
BAEK, Taek-Jin; (KR).
LEE, Seungeun; (KR).
JOO, Youngjae; (KR)
Mandataire : PANKOREA PATENT AND LAW FIRM; 13F, 70 Nonhyeon-ro 85-gil, Gangnam-gu, Seoul 06234 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0038573 30.03.2016 KR
Titre (EN) PHOTO-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM FORMED THEREFROM, AND ELEMENT HAVING CURED FILM
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DURCI FORMÉ À PARTIR DE CELLE-CI, ET DISPOSITIF DOTÉ D'UN FILM DURCI
(KO) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 소자
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a photo-sensitive resin composition, cured film obtained by curing the composition, and an element comprising the cured film, the photo-sensitive resin composition comprising (A) a siloxane compound expressed by the chemical formula 1 below, (B) a quinone diazide compound, and (C) a solvent, and having acid value of 200 mgKOH/g or lower. [Chemical formula 1] (R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4/2)Q1 where R1-R14, Y1-Y4, M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, and Q1 are as defined in the detailed description of the invention.
(FR)L'invention concerne une composition de résine photosensible, un film durci obtenu par le durcissement de la composition, et un élément comprenant le film durci, la composition de résine photosensible comprenant (A) un composé siloxane exprimé par la formule chimique 1 ci-dessous, (B) un composé diazide de quinone, et (C) un solvant, et ayant une valeur acide inférieure ou égale à 200 mgKOH/g. [Formule chimique 1] (R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4/2)Q1 dans laquelle R1-R14, Y1-Y4, M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2 et Q1 sont tels que définis dans la description détaillée de l'invention.
(KO)(A) 하기 화학식 1로 표시되는 실록산 화합물, (B) 퀴논디아지드 화합물, 및 (C) 용제를 포함하고, 산가가 200 mgKOH/g 이하인 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 소자를 제공한다: [화학식 1] (R1R2R3SiO1 /2)M1(R4R5SiO1/2-Y1-SiO1/2R6R7)M2(R8R9SiO2/2)D1(R10SiO2/2-Y2-SiO2/2R11)D2(R12R13Si-Y3)D3(R14SiO3/2)T1 (SiO3/2-Y4-SiO3/2)T2(SiO4/2)Q1 상기 화학식 1에서, R1 내지 R14, Y1 내지 Y4, M1, M2, D1, D2, D3, T1, T2, 및 Q1에 대한 정의는 발명의 상세한 설명에 기재된 것과 같다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)