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1. (WO2017171162) APPAREIL POUR CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SAPHIR
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N° de publication :    WO/2017/171162    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/010693
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 23.09.2016
CIB :
C30B 35/00 (2006.01), C30B 29/20 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/10 (2006.01)
Déposants : SAPPHIRE TECHNOLOGY CO., LTD. [KR/KR]; 65, Barangongdan-ro 4-gil, Hyangnam-eup Hwaseong-si Gyeonggi-do 18623 (KR)
Inventeurs : LEE, Hee Choon; (KR).
CHOI, Yi Sik; (KR).
MOON, Sung Hwan; (KR).
JANG, Gye Won; (KR).
KIM, Hyung Jung; (KR)
Mandataire : LEE, Jae Hwa; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0037358 29.03.2016 KR
Titre (EN) APPARATUS FOR GROWING SAPPHIRE MONOCRYSTAL
(FR) APPAREIL POUR CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SAPHIR
(KO) 사파이어 단결정 성장장치
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an apparatus for growing a sapphire monocrystal, comprising: a chamber; a refractory embedded in the chamber; a crucible, installed inside the chamber, in which a seed, on which the sapphire monocrystal is grown, and a raw material are charged; a heating element, installed inside the chamber, for heating the crucible to melt the raw material; a thermally conductive connection part connected to the crucible; and a cooling unit which performs radiant heat extraction from the thermally conductive connection part and is movable to the thermally conductive connection part so that an amount of radiant heat extraction from the thermally conductive connection part is variable.
(FR)La présente invention concerne un appareil pour la croissance d'un monocristal de saphir, comprenant : une chambre; un matériau réfractaire incorporé dans la chambre ; un creuset, installé à l'intérieur de la chambre, dans lequel un germe, sur lequel le monocristal de saphir est formé, et une matière première sont chargés ; un élément chauffant, installé à l'intérieur de la chambre, pour chauffer le creuset afin de faire fondre la matière première ; une partie de raccordement thermoconductrice raccordée au creuset ; et une unité de refroidissement qui effectue une extraction de chaleur rayonnante à partir de la partie de raccordement thermoconductrice et qui est mobile vers la partie de raccordement thermoconductrice de sorte que la quantité d'extraction de chaleur rayonnante à partir de la partie de raccordement thermoconductrice soit variable.
(KO)본 발명은 사파이어 단결정 성장장치에 관한 것으로, 챔버; 상기 챔버 내부에 내장되어 있는 내화물; 상기 챔버 내부에 설치되며, 사파이어 단결정이 성장되는 시드(seed) 및 원재료가 장입된 도가니; 상기 챔버 내부에 설치되며 상기 도가니를 가열하여 상기 원재료를 용융하는 발열체; 상기 도가니에 연결된 열전도성 연결부; 및 상기 열전도성 연결부로부터 이격되어 복사 열추출을 수행하고, 상기 열전도성 연결부에서의 복사 열추출량이 가변되도록 상기 열전도성 연결부로 이동가능한 냉각부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)