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1. (WO2017170696) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE PHOTORÉSINE QUI CONTIENT UN COMPOSÉ PRÉSENTANT UN SQUELETTE DE GLYCOLURILE COMME ADDITIF
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N° de publication : WO/2017/170696 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/012902
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 29.03.2017
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,C08K 5/3445 (2006.01) ,C08L 63/00 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
5
Emploi d'ingrédients organiques
16
Composés contenant de l'azote
34
Composés hétérocycliques comportant de l'azote dans le cycle
3442
comportant deux atomes d'azote dans le cycle
3445
Cycles à cinq chaînons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
63
Compositions contenant des résines époxy; Compositions contenant des dérivés des résines époxy
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
Inventeurs :
臼井 友輝 USUI Yuki; JP
岸岡 高広 KISHIOKA Takahiro; JP
境田 康志 SAKAIDA Yasushi; JP
緒方 裕斗 OGATA Hiroto; JP
Mandataire :
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06799630.03.2016JP
Titre (EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION WHICH CONTAINS COMPOUND HAVING GLYCOLURIL SKELETON AS ADDITIVE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE PHOTORÉSINE QUI CONTIENT UN COMPOSÉ PRÉSENTANT UN SQUELETTE DE GLYCOLURILE COMME ADDITIF
(JA) グリコールウリル骨格を持つ化合物を添加剤として含むレジスト下層膜形成組成物
Abrégé :
(EN) Provided are: a resist underlayer film forming composition which has a function for preventing collapse of a resist pattern that is formed on a substrate in a lithography process during the production of a semiconductor device, said function being enhanced by an additive that is composed of a compound having a glycoluril skeleton; a resist underlayer film which uses this composition; and a method for producing a semiconductor device. An additive for resist underlayer film forming compositions, which is represented by formula (1-1) is used. (In formula (1-1), each of R1-R4 represents a C2-C10 alkyl group wherein a hydrogen atom is substituted by at least one group selected from the group consisting of a hydroxy group, a thiol group, a carboxyl group, C1-C5 alkoxyethyl groups, C1-C5 alkylsulfanyl groups and organic groups containing an ester bond, or a C2-C10 alkenyl group; the R1-R4 moieties may be the same as or different from each other; and each of R5 and R6 represents a hydrogen atom or a group selected from among C1-C10 alkyl groups and a phenyl group.)
(FR) L'invention concerne : une composition de formation de film de sous-couche de photorésine qui possède une fonction pour empêcher l'affaissement d'un motif de photorésine qui est formé sur un substrat dans un processus de lithographie pendant la production d'un dispositif à semi-conducteurs, ladite fonction étant améliorée par un additif qui est constitué d'un composé présentant un squelette de glycolurile; un film de sous-couche de photorésine qui utilise cette composition; et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs. Un additif pour des compositions formant un film de sous-couche de photorésine, qui est représenté par la formule (1-1), est utilisé. (Dans la formule (1-1), chacun de R1-R4 représente un groupe alkyle en C2-C10 dans lequel un atome d'hydrogène est substitué par au moins un groupe choisi dans le groupe constitué par un groupe hydroxy, un groupe thiol, un groupe carboxyle, des groupes alcoxyéthyle en C1-C5, des groupes alkylsulfanyle en C1-C5 et des groupes organiques contenant une liaison ester, ou un groupe alcényle en C2-C10; les fractions R1-R4 peuvent être identiques ou différentes les unes des autres; et R5 et R6 représentent chacun un atome d'hydrogène ou un groupe choisi parmi des groupes alkyle en C1-C10 et un groupe phényle.)
(JA) 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて、基板上に形成されたレジストパターンのパターン倒れを防ぐ機能がグリコールウリル骨格を持つ化合物添加剤により増強されたレジスト下層膜形成組成物、並びに当該組成物を用いたレジスト下層膜及び半導体装置の製造方法を提供する。 下記式(1-1):(式(1-1)中、R~Rは、各々ヒドロキシ基、チオール基、カルボキシル基、C1~5アルコキシエチル基、C1~5アルキルサルファニル基、及びエステル結合を含む有機基からなる群より選択される少なくとも一の基により水素原子が置換されたC2~10アルキル基又は、C2~10アルケニル基であり、全て同一でも異なっていてもよく、R及びRは、各々水素原子、C1~10アルキル基及びフェニル基の中から選ばれる基を表す。)である、レジスト下層膜形成組成物用添加剤を使用する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)