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1. (WO2017170598) MATÉRIAU ABSORBANT LES INFRAROUGES, DISPERSION LIQUIDE DE MATÉRIAU ABSORBANT LES INFRAROUGES, OBJET COMPRENANT UN MATÉRIAU DISPERSÉ ABSORBANT LES INFRAROUGES, BASE TRANSPARENTE STRATIFIÉE AVEC UN OBJET COMPRENANT UN MATÉRIAU DISPERSÉ ABSORBANT LES INFRAROUGES ET BASE TRANSPARENTE ABSORBANT LES INFRAROUGES
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N° de publication : WO/2017/170598 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/012738
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 28.03.2017
CIB :
C09K 3/00 (2006.01) ,B32B 27/18 (2006.01) ,C01B 35/04 (2006.01) ,C03C 27/12 (2006.01) ,G02B 5/22 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
27
Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
18
caractérisée par l'emploi d'additifs particuliers
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
35
Bore; Ses composés
02
Bore; Borures
04
Borures métalliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
03
VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
C
COMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, SUBSTANCES MINÉRALES OU SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
27
Liaison de pièces de verre à des pièces en d'autres matériaux inorganiques; Liaison verre-verre par des procédés autres que la fusion
06
Liaison verre-verre par des procédés autres que la fusion
10
au moyen d'un adhésif spécialement adapté à ce but
12
Verre stratifié
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
20
Filtres
22
Filtres absorbants
Déposants :
住友金属鉱山株式会社 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都港区新橋5丁目11番3号 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP
Inventeurs :
町田 佳輔 MACHIDA, Keisuke; JP
足立 健治 ADACHI, Kenji; JP
吉尾 里司 YOSHIO, Satoshi; JP
Mandataire :
伊東 忠重 ITOH, Tadashige; JP
伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07417001.04.2016JP
Titre (EN) INFRARED-ABSORBING MATERIAL, LIQUID DISPERSION OF INFRARED-ABSORBING MATERIAL, OBJECT INCLUDING DISPERSED INFRARED-ABSORBING MATERIAL, TRANSPARENT BASE LAMINATED WITH OBJECT INCLUDING DISPERSED INFRARED-ABSORBING MATERIAL, AND INFRARED-ABSORBING TRANSPARENT BASE
(FR) MATÉRIAU ABSORBANT LES INFRAROUGES, DISPERSION LIQUIDE DE MATÉRIAU ABSORBANT LES INFRAROUGES, OBJET COMPRENANT UN MATÉRIAU DISPERSÉ ABSORBANT LES INFRAROUGES, BASE TRANSPARENTE STRATIFIÉE AVEC UN OBJET COMPRENANT UN MATÉRIAU DISPERSÉ ABSORBANT LES INFRAROUGES ET BASE TRANSPARENTE ABSORBANT LES INFRAROUGES
(JA) 赤外線吸収材料、赤外線吸収材料分散液、赤外線吸収材料分散体、赤外線吸収材料分散体合わせ透明基材、赤外線吸収透明基材
Abrégé :
(EN) Provided is an infrared-absorbing material which comprises at least one transition metal and at least one element selected from among B, C, N, O, etc. as a ligand for the transition metal, wherein the infrared-absorbing material forms conduction bands that include a lower conduction band which is either a band occupied by a d orbital of the transition metal or a band of a hybrid of a d orbital of the transition metal and a p orbital of the ligand, the infrared-absorbing material forms valence bands that include an upper valence band which is either a band occupied by a p orbital of the ligand or a band of a hybrid of a p orbital of the ligand and a d orbital of the transition metal, the lower conduction band is close to the upper valence band with a gap less than 3.0 eV along the direction of smaller wavenumbers from wavenumber 2, which is a highly symmetric point in the Brillouin zone, and the infrared-absorbing material has a wide-gap band structure in which the band gap between the lower conduction band and the upper valence band is 3.0 eV or greater, along the wavenumber directions other than the wavenumber direction along which the band gap is close to less than 3.0 eV, the infrared-absorbing material having a plasma frequency of 2.5-10.0 eV.
(FR) L'invention concerne un matériau absorbant les infrarouges qui comprend au moins un métal de transition et au moins un élément choisi parmi B, C, N, O, etc. en tant que ligand pour le métal de transition, le matériau absorbant les infrarouges formant des bandes de conduction qui comprennent une bande de conduction inférieure, qui est soit une bande occupée par une orbitale d du métal de transition, soit une bande d'un hybride d'une orbitale d du métal de transition et d'une orbitale p du ligand, le matériau absorbant les infrarouges formant des bandes de valence qui comprennent une bande de valence supérieure qui est soit une bande occupée par une orbitale p du ligand, soit une bande d'un hybride d'une orbitale p du ligand et d'une orbitale d du métal de transition, la bande de conduction inférieure étant proche de la bande de valence supérieure avec une bande interdite inférieure à 3,0 eV le long de la direction de nombres d'onde plus petits à partir du nombre d'ondes 2, qui est un point hautement symétrique dans la zone de Brillouin, et le matériau absorbant les infrarouges présentant une structure de bande à large bande interdite dans laquelle la bande interdite entre la bande de conduction inférieure et la bande de valence supérieure étant de 3,0 eV ou plus, le long des directions de nombre d'ondes autres que la direction du nombre d'ondes le long de laquelle la bande interdite est proche de moins de 3,0 eV, le matériau absorbant les infrarouges ayant une fréquence de plasma de 2,5 à 10,0 eV.
(JA) 1種類以上の遷移金属と、遷移金属の配位子として、B、C、N、O等から選択された1種類以上の元素とを含有する赤外線吸収材料であって、 伝導帯下部では遷移金属のd軌道が占有するバンド、あるいは遷移金属のd軌道と配位子のp軌道とが混成したバンドである伝導帯下部バンドを形成し、 価電子帯上部では配位子のp軌道が占有するバンド、あるいは配位子のp軌道と遷移金属のd軌道とが混成したバンドである価電子帯上部バンドを形成し、 伝導帯下部バンドが、ブリルアンゾーンの高対称点である二波数以下の方向において、価電子帯上部バンドと、3.0eV未満に近接し、 かつ伝導帯下部バンドと、価電子帯上部バンドとが、3.0eV未満に近接する波数方向を除いた他の波数方向において、バンドギャップが3.0eV以上であるワイドギャップバンド構造を有し、 プラズマ周波数が2.5eV以上10.0eV以下である赤外線吸収材料を提供する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)