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1. (WO2017170450) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/170450 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/012477
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.03.2017
CIB :
H01L 21/301 (2006.01) ,B32B 27/00 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32
PRODUITS STRATIFIÉS
B
PRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
27
Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
三井化学東セロ株式会社 MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区神田美土代町7 7, Kandamitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018485, JP
Inventeurs :
林下 英司 HAYASHISHITA Eiji; JP
Mandataire :
速水 進治 HAYAMI Shinji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06885430.03.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) This semiconductor device manufacturing method involves at least the following four steps: (A) a step in which a structure (100) is prepared which is provided with an adhesive laminate film (50) having a heat resistant resin layer (10), a flexible resin layer (20), and an adhesive resin layer (30), in that order, and one or more semiconductor chips (70) adhered on the adhesive resin layer (30); (B) a step in which, in a state adhered on the adhesive resin layer (30), operation of the semiconductor chips (70) is checked; (C) a step in which, after step (B), the heat resistant resin layer (10) is removed from the adhesive laminate film (50), and (D) a step in which, after step (C), the semiconductor chips (70) are picked up from the adhesive resin layer (30).
(FR) Ce procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur comprend au moins les quatre étapes suivantes : (A) une étape au cours de laquelle une structure (100) est préparée et est pourvue d'un film stratifié adhésif (50) ayant une couche de résine résistante à la chaleur (10), une couche de résine souple (20) et une couche de résine adhésive (30), dans cet ordre, et une ou plusieurs puces semi-conductrices (70) collées sur la couche de résine adhésive (30) ; (B) une étape au cours de laquelle, dans un état collé sur la couche de résine adhésive (30), le fonctionnement des puces semi-conductrices (70) est vérifié ; (C) une étape au cours de laquelle, après l'étape (B), la couche de résine résistante à la chaleur (10) est retirée du film stratifié adhésif (50), et (D) une étape au cours de laquelle, après l'étape (C), les puces semi-conductrices (70) sont saisies à partir de la couche de résine adhésive (30).
(JA) 本発明の半導体装置の製造方法は、以下の4つの工程を少なくとも備えている。(A)耐熱性樹脂層(10)、柔軟性樹脂層(20)および粘着性樹脂層(30)をこの順番に有する粘着性積層フィルム(50)と、粘着性樹脂層(30)上に貼り付けられた1または2以上の半導体チップ(70)と、を備える構造体(100)を準備する工程、(B)粘着性樹脂層(30)上に貼り付けられた状態で、半導体チップ(70)の動作を確認する工程、(C)工程(B)の後に耐熱性樹脂層(10)を粘着性積層フィルム(50)から剥離する工程、(D)工程(C)の後に粘着性樹脂層(30)から半導体チップ(70)をピックアップする工程。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)