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1. (WO2017170438) BANDE DE PROTECTION DE SURFACE DE TYPE INTÉGRÉ AU MASQUE

Pub. No.:    WO/2017/170438    International Application No.:    PCT/JP2017/012457
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Mar 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/301
B23K 26/361
H01L 21/304
Applicants: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
古河電気工業株式会社
Inventors: GOTO, Yusuke
五島 裕介
Title: BANDE DE PROTECTION DE SURFACE DE TYPE INTÉGRÉ AU MASQUE
Abstract:
L’invention concerne une bande de protection de surface de type intégré au masque destinée à être utilisée dans la fabrication d'une puce de semi-conducteur et comprenant les étapes (a) à (d) ci-dessous. La bande de protection de surface de type intégré au masque comprend, sur un film de matériau de base et dans cet ordre, une couche adhésive durcissant par rayonnement et une couche de matériau de masque durcissant par rayonnement, à l'étape (b) ci-dessous la couche adhésive et la couche de matériau de masque pouvant être décollés avant l'irradiation, et la couche de matériau de masque et une surface de motif pouvant être décollés après irradiation. Les étapes (a) à (d) sont (a) une étape de broyage d'une surface arrière d'une plaquette de semi-conducteur, la bande de protection de surface de type intégré au masque étant fixée à un côté surface de motif de la plaquette de semi-conducteur, de fixation d’une bande de fixation de plaquette à la surface arrière de la plaquette de semi-conducteur de base et de support/fixation de la bande de fixation de plaquettes à l'aide d'un cadre annulaire ; (b) après que le film de matériau de base et la couche adhésive ont été décollés ensemble de la bande de protection de surface de type intégré au masque, ce qui expose la couche de matériau de masque à la surface, une étape d’utilisation d’un laser pour découper des parties de la couche de matériau de masque qui correspondent aux lignes de découpe de la plaquette de semi-conducteur, pour ouvrir les lignes de découpe de plaquette de semi-conducteur ; (c) une étape de découpage quadrillé au plasma consistant à découper la plaquette de semi-conducteur dans les lignes de découpe à l’aide d’un plasma au SF6 pour former des puces de semi-conducteur individuelles ; et (d) une étape de calcination consistant à retirer la couche de matériau de masque à l’aide d’un plasma à O2.