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1. (WO2017170428) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SOLUTION CHIMIQUE POUR FABRIQUER UN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SOLUTION CHIMIQUE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, RÉCIPIENT ET PROCÉDÉ D'INSPECTION DE QUALITÉ

Pub. No.:    WO/2017/170428    International Application No.:    PCT/JP2017/012440
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Mar 28 01:59:59 CEST 2017
IPC: G03F 7/26
G03F 7/11
G03F 7/32
G03F 7/40
G03F 7/42
H01L 21/027
Applicants: FUJIFILM CORPORATION
富士フイルム株式会社
Inventors: SHIMIZU Tetsuya
清水 哲也
YAMANAKA Tsukasa
山中 司
KAWADA Yukihisa
河田 幸寿
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE SOLUTION CHIMIQUE POUR FABRIQUER UN MATÉRIAU ÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, SOLUTION CHIMIQUE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, RÉCIPIENT ET PROCÉDÉ D'INSPECTION DE QUALITÉ
Abstract:
La présente invention concerne : un procédé de fabrication d'une solution chimique pour fabriquer un matériau électronique qui peut fabriquer avec une grande efficacité une solution chimique pour fabriquer un matériau électronique qui a une qualité élevée dans la formation d'un motif ultrafin (par exemple, des nœuds inférieurs ou égaux à 10 nm) ; un procédé de formation d'un motif à l'aide de celui-ci ; un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ; la solution chimique pour fabriquer un matériau électronique qui a une qualité élevée dans la formation d'un motif ultrafin ; un récipient ; et un procédé d'inspection de qualité en particulier pour la formation d'un motif ultrafin. Le procédé de fabrication d'une solution chimique pour fabriquer un matériau électronique sélectionne un procédé de réduction pour un métal particulaire dans la solution chimique selon la concentration en métal particulaire comprenant des atomes de fer, la concentration en métal particulaire comprenant des atomes de cuivre, et la concentration en métal particulaire comprenant des atomes de zinc mesurées par une ICP-MS SP dans la solution chimique et réduit la concentration en métal particulaire comprenant des atomes de fer et/ou la concentration en métal particulaire comprenant des atomes de cuivre et/ou la concentration en métal particulaire comprenant des atomes de zinc à l'aide du procédé de réduction sélectionné.