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1. (WO2017170411) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'OBJET À TRAITER
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N° de publication : WO/2017/170411 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/012407
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.03.2017
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs :
木原 嘉英 KIHARA Yoshihide; JP
久松 亨 HISAMATSU Toru; JP
大石 智之 OISHI Tomoyuki; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柏岡 潤二 KASHIOKA Junji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06580629.03.2016JP
2016-14747727.07.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR PROCESSING OBJECT TO BE PROCESSED
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'OBJET À TRAITER
(JA) 被処理体を処理する方法
Abrégé :
(EN) A wafer W according to an embodiment of the present invention is provided with a layer to be etched EL, an organic film OL, an anti-reflective film AL, and a mask layer MK1, and a method MT according to an embodiment of the present invention is provided with steps in which the mask MK1 is used to perform etching processing on the anti-reflective film AL by plasma within a processing container 12 of a plasma processing device 10 in which the wafer W is accommodated, said plasma being generated within the processing container 12. The following steps are provided: steps ST3a-ST4 in which a protective film SX is conformally formed on the surface of the mask MK1; and steps ST6a-ST7 in which the mask MK1 having the protective film SX formed thereon is used to perform etching of the anti-reflective film AL by removal of the individual atomic layers of the anti-reflective film AL.
(FR) Une tranche W selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une couche à graver EL, un film organique OL, un film antireflet AL, et une couche de masque MK1, et un procédé MT selon un mode de réalisation de la présente invention comporte des étapes au cours desquelles le masque MK1 est utilisé pour effectuer un traitement de gravure sur le film antireflet AL par plasma à l'intérieur d'un récipient de traitement 12 d'un dispositif de traitement au plasma 10 dans lequel est reçue la tranche W, ledit plasma étant généré à l'intérieur du récipient de traitement 12. Les étapes suivantes sont mises en œuvre : étapes ST3a-ST4 au cours desquelles un film protecteur SX est formé de manière conforme sur la surface du masque MK1 ; et les étapes ST6a-ST7 au cours desquelles le masque MK1 sur lequel est formé le film protecteur SX est utilisé pour réaliser une gravure du film antireflet AL par élimination des couches atomiques individuelles du film antireflet AL.
(JA) 一実施形態においてウエハWは被エッチング層ELと有機膜OLと反射防止膜ALとマスクMK1とを備え、一実施形態の方法MTは、このウエハWを収容したプラズマ処理装置10の処理容器12内において処理容器12内で発生させたプラズマによりマスクMK1を用いて反射防止膜ALに対しエッチング処理を行う工程を備え、当該工程はマスクMK1の表面に保護膜SXをコンフォーマルに形成する工程ST3a~ST4と、保護膜SXが形成されたマスクMK1を用いて反射防止膜ALを原子層毎に除去することによって反射防止膜ALをエッチングする工程ST6a~ST7とを備える。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)