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1. (WO2017170405) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'OBJET À TRAITER
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N° de publication : WO/2017/170405 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/012399
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.03.2017
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs :
木原 嘉英 KIHARA Yoshihide; JP
久松 亨 HISAMATSU Toru; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柏岡 潤二 KASHIOKA Junji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06580229.03.2016JP
2016-14747527.07.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR PROCESSING OBJECT TO BE PROCESSED
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'OBJET À TRAITER
(JA) 被処理体を処理する方法
Abrégé :
(EN) In a method MT according to an embodiment of the present invention, a wafer W is provided with a layer to be etched EL and a mask layer MK4 provided on the layer to be etched EL, and the layer to be etched EL is etched as a result of removing individual atomic layers of the layer to be etched EL by repeatedly performing a sequence SQ3 including the following steps: a step ST9a in which secondary electrons are irradiated and the mask MK4 is covered with a silicon oxide compound by generating plasma and applying DC voltage to an upper electrode 30 of a parallel plate electrode; a step ST9b in which a fluorocarbon gas plasma is generated and a mixed layer MX2 including radicals is formed on the atomic layer on the surface of the layer to be etched EL; and a step ST9d in which Ar gas plasma is generated and the mixed layer MX2 is removed by applying bias voltage.
(FR) Dans un procédé MT selon un mode de réalisation de la présente invention, une tranche W est pourvue d'une couche à graver EL et d'une couche de masque MK4 disposée sur la couche à graver EL, et la couche à graver EL est gravée en conséquence de l'élimination de couches atomiques individuelles de la couche à graver EL par réalisation répétée d'une séquence SQ3 comprenant les étapes suivantes : une étape ST9a dans laquelle des électrons secondaires sont émis et le masque MK4 est recouvert d'un composé oxyde de silicium par génération de plasma et application d'une tension continue à une électrode supérieure 30 d'un système d'électrodes plates parallèles ; une étape ST9b dans laquelle un plasma de gaz fluorocarboné est généré et une couche mixte MX2 comprenant des radicaux est formée sur la couche atomique sur la surface de la couche à graver EL ; et une étape ST9d dans laquelle un plasma de gaz Ar est généré et la couche mixte MX2 est éliminée par application d'une tension de polarisation.
(JA) 一実施形態においてウエハWは被エッチング層ELと被エッチング層EL上に設けられたマスクMK4とを備え、一実施形態の方法MTは、プラズマを発生させて平行平板電極の上部電極30に直流電圧を印可することによって二次電子を照射すると共に酸化シリコン化合物でマスクMK4を覆う工程ST9aと、フルオロカーボン系ガスのプラズマを生成しラジカルを含む混合層MX2を被エッチング層ELの表面の原子層に形成する工程ST9bと、Arガスのプラズマを生成しバイアス電圧を印可して混合層MX2を除去するST9dを含むシーケンスSQ3を繰り返し実行し、被エッチング層ELを原子層毎に除去することによって被エッチング層ELをエッチングする。
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)