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1. (WO2017170340) DISPOSITIF DE MÉMOIRE
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N° de publication :    WO/2017/170340    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/012276
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.03.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.09.2017    
CIB :
G11C 15/04 (2006.01), G06F 12/00 (2006.01), G11C 15/02 (2006.01)
Déposants : TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
Inventeurs : MA Yitao; (JP).
ENDOH Tetsuo; (JP)
Mandataire : YOSHIDA Tadanori; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-064777 28.03.2016 JP
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(JA) メモリ装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a memory device with which it is possible to promote optimization of power consumption and read out reference data. This memory device 100 is provided with a memory area 113 in which is stored reference data comprising N (≥ 1) dimensions, the one-dimensional space of which comprises M (≥ 1) bits. In the memory area 113, with a discretionary number of memory grains 119 configured from M-bit nonvolatile memory as one unit and a power driver 118 for supplying electric power to the discretionary number of memory grains are provided, as a set, to each area designated by a discretionary number (1 to N) of column lines 117 and M row lines 115. The power driver 118 accepts input of a control signal from the discretionary number of column lines 117, input of a control signal from the M row lines 115, and input of a clock signal, and supplies electric power to a memory grain 119 that constitutes a set with the power driver 118 in synchronism with the clock signal, thereby reading out reference data for each dimension that is stored in the memory grain 119.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de mémoire au moyen duquel il est possible de favoriser l'optimisation de consommation d'énergie et d'extraire des données de référence. Ce dispositif de mémoire (100) comprend une zone de mémoire (113), dans laquelle sont stockées des données de référence comprenant N (≥ 1) dimensions, dont l'espace unidimensionnel comprend M (≥ 1) bits. Dans la zone de mémoire (113), un nombre discrétionnaire de grains de mémoire (119) configurés à partir d'une mémoire non volatile à M bits sous la forme d'une seule unité et un pilote d'alimentation (118) pour fournir de l'énergie électrique au nombre discrétionnaire de grains de mémoire sont fournis, sous la forme d'un ensemble, à chaque zone désignée par un nombre discrétionnaire (1 à N) de lignes de colonne (117) et M lignes de rangée (115). Le pilote d'alimentation (118) accepte l'entrée d'un signal de commande provenant du nombre discrétionnaire de lignes de colonne (117), l'entrée d'un signal de commande provenant des M lignes de rangée (115), et l'entrée d'un signal d'horloge, et fournit de l'énergie électrique à un grain de mémoire (119) qui constitue un ensemble avec le pilote d'alimentation (118) de manière synchrone avec le signal d'horloge, permettant ainsi d'extraire des données de référence pour chaque dimension qui est stockée dans le grain de mémoire (119).
(JA)消費電力の最適化を図って参照データを読み出すことができるメモリ装置を提供する。メモリ装置100は、N(≧1)次元からなり1次元がM(≧1)ビットからなる参照データが記憶されるメモリ領域113を備え、メモリ領域113において1以上N以下の任意数のコラムライン117とM本のローライン115とにより指定される領域毎に、Mビットの不揮発性メモリを1単位として構成する任意数のメモリグレン119と、任意数のメモリグレンに電力を供給するパワードライバー118とが組として備えられ、パワードライバー118が、任意数のコラムライン117からの制御信号の入力と、M本のローライン115からの制御信号の入力と、クロック信号の入力とを受け、クロック信号に同期して、パワードライバー118と組となるメモリグレン119に電力を供給することにより、当該メモリグレン119に格納されている次元毎の参照データを読み出す。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)