WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017170219) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/170219    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/011997
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 24.03.2017
CIB :
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1345 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/00 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : OKABE, Tohru; (--).
NISHIKI, Hirohiko; (--).
NAKAJIMA, Shinji; (--).
ISHIDA, Izumi; (--).
MURASHIGE, Shogo; (--)
Mandataire : SHIMADA, Akihiro; (JP).
KAWAHARA, Kenji; (JP).
OKUDA, Kunihiro; (JP).
KAWAMOTO, Satoru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-070802 31.03.2016 JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an active matrix substrate that makes it possible to suppress the occurrence of electrostatic discharge in a manufacturing process of a display panel, and hold down a manufacturing cost, a manufacturing method therefor, and a display device. After a passivation film for protecting a TFT is formed in a state where an IGZO film is sandwiched between a silicon oxide film constituting a gate insulating film and an etching stop layer, annealing is performed at 200-350°C. Consequently, the passivation film is annealed, and the IGZO film is changed from a conductor to a semiconductor. As a result, not only the occurrence of ESD can be suppressed, but also the need for separating an electrostatic discharge prevention circuit from a display panel is eliminated, thereby enabling a reduction in the manufacturing cost of a display device.
(FR)La présente invention concerne un substrat de matrice active qui permet de supprimer l'apparition d'une décharge électrostatique dans un processus de fabrication d'un panneau d'affichage, et de maintenir un faible coût de fabrication, un procédé de fabrication associé, et un dispositif d'affichage. Après qu'un film de passivation destiné à protéger un TFT est formé dans un état dans lequel un film IGZO est pris en sandwich entre un film d'oxyde de silicium constituant un film d'isolation de grille et une couche d'arrêt de gravure, un recuit est effectué à 200-350 °C. Par conséquent, le film de passivation est recuit, et le film IGZO est changé d'un conducteur en un semi-conducteur. En conséquence, non seulement l'occurrence d'une ESD peut être supprimée, mais également le besoin de séparer un circuit de prévention de décharge électrostatique d'un panneau d'affichage, permettant ainsi une réduction du coût de fabrication d'un dispositif d'affichage.
(JA)表示パネルの製造工程において静電気放電の発生を抑制すると共に、製造コストの抑制が可能なアクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置を提供する。 IGZO膜がゲート絶縁膜を構成する酸化シリコン膜とエッチングストップ層によって挟まれた状態で、TFTを保護するためのパッシベーション膜の形成後に、200~350℃でアニールを行う。これによって、パッシベーション膜のアニールを行うと共に、IGZO膜を導体から半導体に変化させる。その結果、ESDの発生を抑制することができるだけでなく、表示パネルから静電気放電防止回路を切り離すことが不要になるので、表示装置の製造コストを低減することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)