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1. (WO2017170219) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2017/170219 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/011997
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 24.03.2017
CIB :
G09F 9/30 (2006.01) ,G02F 1/1345 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/00 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30
dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333
Dispositions relatives à la structure
1345
Conducteurs connectant les électrodes aux bornes de la cellule
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
F
PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9
Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs :
岡部 達 OKABE, Tohru; --
錦 博彦 NISHIKI, Hirohiko; --
中島 伸二 NAKAJIMA, Shinji; --
石田 和泉 ISHIDA, Izumi; --
村重 正悟 MURASHIGE, Shogo; --
Mandataire :
島田 明宏 SHIMADA, Akihiro; JP
川原 健児 KAWAHARA, Kenji; JP
奥田 邦廣 OKUDA, Kunihiro; JP
河本 悟 KAWAMOTO, Satoru; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07080231.03.2016JP
Titre (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
Abrégé :
(EN) The present invention provides an active matrix substrate that makes it possible to suppress the occurrence of electrostatic discharge in a manufacturing process of a display panel, and hold down a manufacturing cost, a manufacturing method therefor, and a display device. After a passivation film for protecting a TFT is formed in a state where an IGZO film is sandwiched between a silicon oxide film constituting a gate insulating film and an etching stop layer, annealing is performed at 200-350°C. Consequently, the passivation film is annealed, and the IGZO film is changed from a conductor to a semiconductor. As a result, not only the occurrence of ESD can be suppressed, but also the need for separating an electrostatic discharge prevention circuit from a display panel is eliminated, thereby enabling a reduction in the manufacturing cost of a display device.
(FR) La présente invention concerne un substrat de matrice active qui permet de supprimer l'apparition d'une décharge électrostatique dans un processus de fabrication d'un panneau d'affichage, et de maintenir un faible coût de fabrication, un procédé de fabrication associé, et un dispositif d'affichage. Après qu'un film de passivation destiné à protéger un TFT est formé dans un état dans lequel un film IGZO est pris en sandwich entre un film d'oxyde de silicium constituant un film d'isolation de grille et une couche d'arrêt de gravure, un recuit est effectué à 200-350 °C. Par conséquent, le film de passivation est recuit, et le film IGZO est changé d'un conducteur en un semi-conducteur. En conséquence, non seulement l'occurrence d'une ESD peut être supprimée, mais également le besoin de séparer un circuit de prévention de décharge électrostatique d'un panneau d'affichage, permettant ainsi une réduction du coût de fabrication d'un dispositif d'affichage.
(JA) 表示パネルの製造工程において静電気放電の発生を抑制すると共に、製造コストの抑制が可能なアクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置を提供する。 IGZO膜がゲート絶縁膜を構成する酸化シリコン膜とエッチングストップ層によって挟まれた状態で、TFTを保護するためのパッシベーション膜の形成後に、200~350℃でアニールを行う。これによって、パッシベーション膜のアニールを行うと共に、IGZO膜を導体から半導体に変化させる。その結果、ESDの発生を抑制することができるだけでなく、表示パネルから静電気放電防止回路を切り離すことが不要になるので、表示装置の製造コストを低減することができる。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)