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1. (WO2017170149) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
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N° de publication : WO/2017/170149 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/011792
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 23.03.2017
CIB :
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 49/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝五丁目7番1号 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001, JP
Inventeurs :
多田 宗弘 TADA Munehiro; JP
Mandataire :
下坂 直樹 SHIMOSAKA Naoki; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06715930.03.2016JP
Titre (EN) VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE ET PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
Abrégé :
(EN) To stabilize programming operation and to reduce leakage current. A variable resistance element according to the present invention is provided with: an interlayer insulating film; a first electrode that is formed within the interlayer insulating film and comprises an active electrode, the lateral surface and the bottom surface of which are covered by a barrier metal; a variable resistance film that is formed on the upper surface of the first electrode; a second electrode that is formed on the variable resistance film; and an insulating film spacer that is formed between the variable resistance film and the barrier metal which covers the lateral surface of the first electrode. In this connection, the variable resistance film and the barrier metal which covers the lateral surface of the first electrode are in contact with the insulating film spacer, respectively.
(FR) La présente invention a pour but de stabiliser l'opération de programmation et de réduire le courant de fuite. Un élément à résistance variable selon la présente invention comporte : un film isolant inter-couches ; une première électrode qui est formée à l'intérieur du film isolant inter-couches et qui comprend une électrode active, dont la surface latérale et la surface inférieure sont recouvertes d'un métal barrière ; un film à résistance variable qui est formé sur la surface supérieure de la première électrode ; une seconde électrode qui est formée sur le film à résistance variable ; et un élément d'espacement de film isolant qui est formé entre le film à résistance variable et le métal barrière qui recouvre la surface latérale de la première électrode. Dans cette connexion, le film à résistance variable et le métal barrière qui recouvre la surface latérale de la première électrode sont en contact avec l'élément d'espacement de film isolant, respectivement.
(JA) プログラミング動作を安定させ、リーク電流を低減する。抵抗変化素子は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜の内部に形成され、側面、および底面がバリアメタルで覆われた活性電極を含む第1電極と、第1電極の上面に形成された抵抗変化膜と、抵抗変化膜上に形成された第2電極と、第1電極の側面を覆うバリアメタルと、抵抗変化膜との間に形成された絶縁膜スペーサ、とを備え、第1電極の側面を覆うバリアメタル、および抵抗変化膜は、それぞれ、前記絶縁膜スペーサと接している。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)