Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017169958) FILM ADHÉSIF POUR LE TRAITEMENT D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/169958 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/011134
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 21.03.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
三井化学東セロ株式会社 MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区神田美土代町7 7, Kandamitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018485, JP
Inventeurs :
栗原 宏嘉 KURIHARA Hiroyoshi; JP
福本 英樹 FUKUMOTO Hideki; JP
Mandataire :
速水 進治 HAYAMI Shinji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07094531.03.2016JP
Titre (EN) ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING
(FR) FILM ADHÉSIF POUR LE TRAITEMENT D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェハ加工用粘着性フィルム
Abrégé :
(EN) This adhesive film (100) for semiconductor wafer processing is provided with a base material layer (10) and a UV curable adhesive resin layer (20) on one side of the base material layer (10), and is used in order to protect the surface of a semiconductor wafer or to fix the semiconductor wafer. Further, in this adhesive film (100), the adhesive resin layer (20) includes a UV curable adhesive resin, and, after UV curing, has a 2.0 kV or lower saturated charge voltage V1, measured by the method below. (Method) A high-pressure mercury lamp in a 25°C environment is used to irradiate and optically cure the adhesive resin layer (20) with UV rays having a dominant wavelength of 365 nm, an irradiation intensity of 100 mW/cm2 and a UV dose of 1080 mJ/cm2. Subsequently, a voltage is applied to the surface of the adhesive resin layer (20) for 30 seconds under the conditions of a 10 kV applied voltage, a 20 mm distance between the sample and electrode, 25°C, and 50% RH, and the saturated charge voltage (V1) of the surface of the adhesive resin layer (20) is calculated in conformity with JIS L1094.
(FR) L'invention concerne un film adhésif (100), destiné au traitement d'une tranche de semi-conducteur, qui est pourvu d'une couche de matériau de base (10) et d'une couche de résine adhésive pouvant durcir aux UV (20), sur un côté de la couche de matériau de base (10), et qui permet de protéger la surface d'une tranche de semi-conducteur ou de fixer la tranche de semi-conducteur. En outre, dans ce film adhésif (100), la couche de résine adhésive (20) comprend une résine adhésive pouvant durcir aux UV, et, après le durcissement aux UV, présente une tension de charge saturée V1 inférieure ou égale à 2,0 kV, mesurée par le procédé ci-dessous. Le procédé selon l'invention consiste en une lampe à mercure haute pression dans un environnement à 25 °C qui permet d'exposer et de durcir optiquement la couche de résine adhésive (20) à l'aide de rayons UV ayant une longueur d'onde dominante de 365 nm, d'une intensité de rayonnement de 100 mW/cm2 et d'une dose d'UV de 1080 mJ/cm2. Ensuite, une tension est appliquée à la surface de la couche de résine adhésive (20) pendant 30 secondes dans les conditions d'une tension appliquée de 10 kV, d'une distance de 20 mm entre l'échantillon et l'électrode, de 25 °C et d'une RH à 50 %, la tension de charge saturée (V1) de la surface de la couche de résine adhésive (20) étant calculée conformément à JIS L1094.
(JA) 本発明の半導体ウェハ加工用粘着性フィルム(100)は、基材層(10)と、基材層(10)の一方の面側に設けられた紫外線硬化型の粘着性樹脂層(20)と、を備え、半導体ウェハの表面を保護または半導体ウェハを固定するために用いられるものである。そして、粘着性フィルム(100)において、粘着性樹脂層(20)は紫外線硬化型粘着性樹脂を含み、下記の方法で測定される、紫外線硬化後の粘着性樹脂層(20)の飽和帯電圧Vが2.0kV以下である。 (方法)粘着性樹脂層(20)に対し、25℃の環境下で高圧水銀ランプを用いて主波長365nmの紫外線を照射強度100mW/cmで紫外線量1080mJ/cm照射して粘着性樹脂層(20)を光硬化させる。次いで、印加電圧10kV、試料と電極との距離20mm、25℃、50%RHの条件下で粘着性樹脂層(20)の表面に電圧の印加を30秒おこない、JIS L1094に準じて粘着性樹脂層(20)の表面の飽和帯電圧(V)を算出する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)