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1. (WO2017169932) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS ET POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2017/169932 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/011037
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 17.03.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 22.01.2018
CIB :
C09K 11/08 (2006.01) ,B82Y 20/00 (2011.01) ,B82Y 30/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01) ,C09K 11/62 (2006.01) ,C09K 11/66 (2006.01) ,C09K 11/70 (2006.01) ,C09K 11/74 (2006.01) ,C09K 11/88 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
20
Nano-optique, p.ex. optique quantique ou cristaux photoniques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
30
Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p.ex. nanocomposites
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40
Fabrication ou traitement des nanostructures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
62
contenant du gallium, de l'indium ou du thalium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
66
contenant du germanium, de l'étain ou du plomb
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
70
contenant du phosphore
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
74
contenant de l'arsenic, de l'antimoine ou du bismuth
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
11
Substances luminescentes, p.ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
08
contenant des substances inorganiques luminescentes
88
contenant du sélénium, du tellure ou des chalcogènes non spécifiés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
和田 健二 WADA, Kenji; JP
吉田 有次 YOSHIDA, Yuji; JP
Mandataire :
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
赤羽 修一 AKABA, Shuichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06341728.03.2016JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS AND SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS ET POINTS QUANTIQUES SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体量子ドットの製造方法及び半導体量子ドット
Abrégé :
(EN) A process for producing semiconductor quantum dots which includes the following steps (A1) and (B1): (A1) a step in which nanoparticles constituted of a specific compound semiconductor are reacted with a salt of a specific metal a1 to introduce the metal a1 into surface layers of the nanoparticles, and (B1) a step in which the nanoparticles containing the metal a1 introduced into the surface layers are reacted with a salt of a specific metal b1 to introduce the metal b1 into the surface layers of the nanoparticles. Also provided are semiconductor quantum dots which have a structure in which a specific metal a1 and/or a specific metal b1 has been introduced into surface layers of nanoparticles constituted of a specific compound semiconductor.
(FR) La présente invention décrit un procédé de production de points quantiques semi-conducteurs comprenant les étapes suivantes (A1) et (B1) : (A1) une étape dans laquelle des nanoparticules constituées d’un semi-conducteur composé spécifique sont mises à réagir avec un sel d’un métal spécifique a1 pour introduire le métal a1 dans des couches de surface des nanoparticules, et (B1) une étape dans laquelle les nanoparticules contenant le métal a1 introduit dans les couches de surface sont mises à réagir avec un sel d’un métal spécifique b1 pour introduire le métal b1 dans les couches de surface des nanoparticules. Sont également décrits des points quantiques semi-conducteurs qui présentent une structure dans laquelle un métal spécifique a1 et/ou un métal spécifique b1 a été introduit dans les couches de surface des nanoparticules constituées d’un semi-conducteur composé spécifique.
(JA) 下記工程(A1)及び(B1)を含む半導体量子ドットの製造方法: (A1)特定の化合物半導体からなるナノ粒子と、特定の金属a1の塩とを反応させて、上記ナノ粒子表層に金属a1を導入する工程;及び (B1)表層に金属a1が導入された上記ナノ粒子と、特定の金属b1の塩とを反応させて、上記ナノ粒子表層に金属b1を導入する工程。 特定の化合物半導体からなるナノ粒子の表層に、特定の金属a1及び/又は特定の金属b1が導入された構造を有する半導体量子ドット。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)