Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017169896) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/169896    International Application No.:    PCT/JP2017/010890
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Mar 18 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/66
G01R 31/26
H01L 21/301
Applicants: MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC.
三井化学東セロ株式会社
Inventors: HAYASHISHITA Eiji
林下 英司
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semiconducteur comprenant au moins les quatre étapes suivantes : (A) une étape dans laquelle est préparée une structure (100), laquelle est pourvue d'un film adhésif (50) ayant une couche de résine adhésive (30) durcissable par rayonnement et une ou plusieurs puces en semiconducteur (70) collées sur la couche de résine adhésive (30); (B) une étape dans laquelle le film adhésif (50) est irradié avec un rayonnement pour réticuler la couche de résine adhésive (30); (C) une étape dans laquelle, après l'étape (B), le fonctionnement des puces en semiconducteur (70) est contrôlé dans un état collé sur la couche de résine adhésive (30); et (D) une étape dans laquelle, après l'étape (C), les puces en semiconducteur (70) sont prélevées de la couche de résine adhésive (30).