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1. (WO2017169883) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication :    WO/2017/169883    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/010864
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 17.03.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/359 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : WATANABE Taiichiro; (JP).
KOGA Fumihiko; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-070059 31.03.2016 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子機器
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a solid-state imaging element with which it is possible to keep OPB pixels from being affected even when blooming occurs with aperture pixels, and to an electronic device. A solid-state imaging element, which is one aspect of the present disclosure, in which a first photoelectric conversion unit for performing photoelectric conversion that performs photoelectric conversion in correspondence to incident light, and an upper electrode and a lower electrode formed so as to sandwich the first photoelectric conversion unit are formed on the outside of a substrate, wherein the solid-state imaging element is provided with aperture pixels for generating regular pixel signals, the aperture pixels being arranged on a pixel array; OPB pixels for generating pixel signals representing the dark current component, the OPB pixels being arranged on the edge of the pixel array; and a charge discharger for discharging the charge that flows out from the aperture pixels, the charge discharger being arranged between the aperture pixels and the OPB pixels. The present disclosure can be used for a back surface irradiation-type vertical spectral-type CMOS image sensor.
(FR)La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui permet d'éviter que des pixels OPB soient perturbés, même lorsqu'un éblouissement se produit avec des pixels d'ouverture; et un dispositif électronique. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs, qui constitue un aspect de la présente invention, comporte une première unité de conversion photoélectrique servant à mettre en oeuvre une conversion photoélectrique en fonction de la lumière incidente; et une électrode supérieure et une électrode inférieure, formées de manière à prendre en sandwich la première unité de conversion photoélectrique, sont formées sur l'extérieur d'un substrat. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu de pixels d'ouverture servant à générer des signaux de pixels normaux, les pixels d'ouverture étant agencés sur une matrice de pixels; des pixels OPB servant à générer des signaux de pixels représentant la composante de courant d'obscurité, les pixels OPB étant agencés sur le bord de la matrice de pixels; et un déchargeur de charge, qui sert à décharger la charge sortant des pixels d'ouverture, le déchargeur de charge étant aménagé entre les pixels d'ouverture et les pixels OPB. La présente invention peut être utilisée pour un capteur d'image CMOS vertical de type spectral du type à rayonnement de surface arrière.
(JA)本開示は、開口画素がブルーミングした場合でもOPB画素に対する影響を抑止することができるようにする固体撮像素子、および電子機器に関する。 本開示の一側面である入射光に対応して光電変換を行う光電変換を行う第1の光電変換部と、前記第1の光電変換部を挟むように形成された上部電極および下部電極とが基板の外部に形成されている固体撮像素子において、画素アレイ上に配置されており、通常の画素信号を生成する開口画素と、前記画素アレイ上の端部に配置されており、暗電流成分を表す画素信号を生成するOPB画素と、前記開口画素と前記OPB画素の間に配置されており、前記開口画素から流出した電荷を排出する電荷排出部とを備える。本開示は、裏面照射型縦分光式のCMOSイメージセンサに適用できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)