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1. (WO2017169877) ÉLÉMENT D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/169877 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/010847
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 17.03.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
ITO Kyosuke; JP
Mandataire :
NISHIKAWA Takashi; JP
INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07006031.03.2016JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) An imaging device and an electronic apparatus including an imaging device are provided. The imaging device includes a substrate and a photoelectric conversion film disposed above the substrate. A first pixel includes a first photoelectric conversion film region, first and second photoelectric conversion regions formed in the substrate, and a vertical transistor for the first photoelectric conversion element. A second pixel includes a second photoelectric conversion film region, first and second photoelectric conversion regions formed in the substrate, and a vertical transistor for the first photoelectric conversion element. The imaging device also includes a first floating diffusion. The first floating diffusion is shared by the first photoelectric conversion regions of the first and second pixels. A portion of the first photoelectric conversion regions of the respective pixels is between a light incident surface of the substrate and the vertical transistor for the respective pixel.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie et un appareil électronique comprenant un dispositif d'imagerie. Le dispositif d'imagerie comprend un substrat et un film de conversion photoélectrique disposé au-dessus du substrat. Un premier pixel comprend une première région de film de conversion photoélectrique, des première et seconde régions de conversion photoélectrique formées dans le substrat, et un transistor vertical pour le premier élément de conversion photoélectrique. Un second pixel comprend une seconde région de film de conversion photoélectrique, des première et seconde régions de conversion photoélectrique formées dans le substrat, et un transistor vertical pour le premier élément de conversion photoélectrique. Le dispositif d'imagerie comprend également une première diffusion flottante. La première diffusion flottante est partagée par les premières régions de conversion photoélectrique des premier et second pixels. Une partie des premières régions de conversion photoélectrique des pixels respectifs se trouve entre une surface d'incidence de lumière du substrat et le transistor vertical pour le pixel respectif.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)