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1. (WO2017169757) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/169757 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/010304
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 15.03.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
池原 成拓 IKEHARA Shigehiro; JP
定榮 正大 JOEI Masahiro; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06560829.03.2016JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SAME AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
Abrégé :
(EN) The present technique relates to: a solid-state imaging element wherein a photoelectric conversion film is able to be protected by means of a sealing film that has excellent sealing properties and coverage; a method for producing this solid-state imaging element; and an electronic device. This solid-state imaging element is provided with: a photoelectric conversion film which is formed above a semiconductor substrate; and a sealing film which is formed above the photoelectric conversion film and has an etching rate lower than that of silicon oxide. The present technique is applicable, for example, to a solid-state imaging element which has a photoelectric conversion film above a semiconductor substrate, and the like.
(FR) La présente invention concerne : un élément d'imagerie à semi-conducteurs dans lequel un film de conversion photoélectrique peut être protégé au moyen d'un film d'étanchéité qui présente d'excellentes propriétés d'étanchéité et une excellente couverture ; un procédé de fabrication dudit élément d'imagerie à semi-conducteurs ; et un dispositif électronique. Ledit élément d'imagerie à semi-conducteurs comporte : un film de conversion photoélectrique qui est formé au-dessus d'un substrat semi-conducteur ; et un film d'étanchéité qui est formé au-dessus du film de conversion photoélectrique et a une vitesse de gravure inférieure à celle de l'oxyde de silicium. La présente invention est applicable, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteurs qui comporte un film de conversion photoélectrique au-dessus d'un substrat semi-conducteur, et autres.
(JA) 本技術は、封止性とカバレッジに優れた封止膜で光電変換膜を保護することができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像素子は、半導体基板の上側に形成された光電変換膜と、光電変換膜の上層に形成された、酸化シリコンよりも低いエッチングレートを有する封止膜とを備える。本技術は、例えば、半導体基板の上側に光電変換膜を有する固体撮像素子等に適用できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)