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1. (WO2017169693) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/169693 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009969
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 13.03.2017
CIB :
H01L 25/07 (2006.01) ,G01K 7/01 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 1/00 (2007.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
K
MESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
7
Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur
01
utilisant des éléments semi-conducteurs à jonctions PN
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
矢野 新也 YANO, Shinya; JP
木ノ内 伸一 KINOUCHI, Shinichi; JP
中山 靖 NAKAYAMA, Yasushi; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-07435001.04.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
Abrégé :
(EN) In this semiconductor module (1), first and second semiconductor chips (C1, C2) each include a transistor (2) and a temperature sensing diode (3) connected to between a first and a second control pad. The first control pad of the first semiconductor chip (C1) is connected to a first control terminal (T1a). The second control pad of the first semiconductor chip (C1) and the first control pad of the second semiconductor chip (C2) are both connected to a second control terminal (T1ak). The second control pad of the second semiconductor chip (C2) is connected to a third control terminal (T2k).
(FR) La présente invention concerne un module semi-conducteur (1) dans lequel des première et deuxième puces semi-conductrices (C1, C2) incluent chacune un transistor (2) et une diode de détection de température (3) connectée entre une première et une deuxième pastille de commande. La première pastille de commande de la première puce semi-conductrice (C1) est connectée à une première borne de commande (T1a). La deuxième pastille de commande de la première puce semi-conductrice (C1) et la première pastille de commande de la deuxième puce semi-conductrice (C2) sont toutes deux connectées à une deuxième borne de commande (T1ak). La deuxième pastille de commande de la deuxième puce semi-conductrice (C2) est connectée à une troisième borne de commande (T2k).
(JA) この半導体モジュール(1)では、第1および第2の半導体チップ(C1,C2)の各々は、トランジスタ(2)と、第1および第2の制御パッド間に接続された温度検出用のダイオード(3)とを含む。第1の半導体チップ(C1)の第1の制御パッドを第1の制御端子(T1a)に接続し、第1の半導体チップ(C1)の第2の制御パッドと第2の半導体チップ(C2)の第1の制御パッドとを第2の制御端子(T1ak)に接続し、第2の半導体チップ(C2)の第2の制御パッドを第3の制御端子(T2k)に接続する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)