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1. (WO2017169664) SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/169664 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009754
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H05K 3/46 (2006.01) ,C04B 35/195 (2006.01) ,C04B 37/00 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H05K 1/03 (2006.01)
[IPC code unknown for H05K 3/46][IPC code unknown for C04B 35/195][IPC code unknown for C04B 37][IPC code unknown for H01L 23/12][IPC code unknown for H01L 23/13][IPC code unknown for H05K 1/03]
Déposants :
日立金属株式会社 HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 東京都港区港南一丁目2番70号 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224, JP
Inventeurs :
伊藤 博之 ITOH,Hiroyuki; JP
伊藤 進朗 ITOH,Shinroh; JP
Mandataire :
特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目13-9 新大阪MTビル1号館2階 First Shin-Osaka MT Bldg. 2nd Floor, 5-13-9 Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011, JP
Données relatives à la priorité :
2016-06914230.03.2016JP
Titre (EN) CERAMIC SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD FOR SAME
(FR) SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) セラミック基板及びその製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention focuses on a silicon nitride substrate that exhibits high mechanical strength, high thermal conductivity, etc., and takes advantage of such properties in order to provide: a ceramic substrate that enables improvement in bonding ability between a silicon nitride substrate and a ceramic layer which uses a dielectric ceramic material that can be simultaneously sintered with a low-resistance conductive material, such as low-melting metals like Ag and Cu; and a method for producing the ceramic substrate. The ceramic substrate according to the present invention is obtained by stacking and bonding a silicon nitride substrate and a ceramic layer composed of a dielectric ceramic material, wherein: the dielectric ceramic material contains Mg, Al, and Si as main ingredients, and Bi or B as an accessory ingredient; and the ceramic layer has a region with high Si element concentration at the bonding interface with the silicon nitride substrate.
(FR) La présente invention se concentre sur un substrat de nitrure de silicium qui présente une résistance mécanique élevée, une conductivité thermique élevée, etc., et tire profit de telles propriétés afin de fournir : un substrat en céramique qui permet d'améliorer la capacité de liaison entre un substrat de nitrure de silicium et une couche en céramique qui utilise un matériau en céramique diélectrique qui peut être simultanément fritté avec un matériau conducteur à faible résistance, tels que des métaux à bas point de fusion comme l'Ag et le Cu. L'invention concerne également un procédé de production du substrat en céramique. Selon la présente invention, le substrat en céramique est obtenu par superposition et liaison d'un substrat de nitrure de silicium et d'une couche en céramique composée d'un matériau en céramique diélectrique, le matériau en céramique diélectrique contenant du Mg, de l'Al et du Si comme ingrédients principaux, et du Bi ou B comme ingrédient accessoire, et la couche en céramique présentant une région dotée d'une concentration élevée en éléments Si au niveau de l'interface de liaison avec le substrat de nitrure de silicium.
(JA) 本発明は、機械的強度や熱伝導性等の高い窒化ケイ素基板に着目して、その特性を生かしつつ、低融点金属のAgやCu等の低抵抗の導体材料と同時に焼結できる誘電体セラミックスを用いたセラミック層と、窒化ケイ素基板との接合性を向上できるセラミック基板及びその製造方法を提供する。本発明のセラミック基板は、窒化ケイ素基板と、誘電体セラミックスでなるセラミック層とが、積層されて接合されているセラミック基板であって、前記誘電体セラミックスは、Mg,Al及びSiを主成分とし、副成分として、Bi又はBを含有し、前記セラミック層は、前記窒化ケイ素基板との接合界面に、Si元素濃度の高い領域を有する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)