Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017169660) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/169660 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009732
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
H02M 7/48 (2007.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
Déposants :
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Inventeurs :
三浦 智也 MIURA Tomoya; JP
山平 優 YAMAHIRA Yuu; JP
福島 和馬 FUKUSHIMA Kazuma; JP
Mandataire :
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Données relatives à la priorité :
2016-06354128.03.2016JP
2017-03674528.02.2017JP
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abrégé :
(EN) A power conversion device of the present invention is provided with a plurality of semiconductor elements (2) and a control circuit unit (3). The power conversion device is configured such that the semiconductor elements (2) connected in parallel are switching-operated at one time. The control circuit unit (3) is provided with: a drive circuit (30) connected to the semiconductor elements (2) that operate at one time; control wiring (4G); and reference wiring (4KE). The control wiring (4G) connects the drive circuit (30) and a control electrode (21G) of each of the semiconductor elements (2) to each other. The reference wiring (4KE) connects the drive circuit (30) and a reference electrode (21KE) of each of the semiconductor elements (2) to each other. An inductance (LKE) parasitic to the reference wiring (4KE) is set smaller than an inductance (LG) parasitic to the control wiring (4G).
(FR) Un dispositif de conversion de puissance selon la présente invention comporte une pluralité d'éléments semi-conducteurs (2) et une unité de circuit de commande (3). Le dispositif de conversion de puissance est configuré de telle sorte que les éléments semi-conducteurs (2) connectés en parallèle sont actionnés par commutation en une fois. L'unité de circuit de commande (3) comporte : un circuit d'attaque (30) connecté aux éléments semi-conducteurs (2) qui fonctionne en une fois ; un câblage de commande (4G) ; et un câblage de référence (4KE). Le câblage de commande (4G) connecte le circuit d'attaque (30) et une électrode de commande (21G) de chacun des éléments semi-conducteurs (2) les uns aux autres. Le câblage de référence (4KE) connecte le circuit d'attaque (30) et une électrode de référence (21KE) de chacun des éléments semi-conducteurs (2) les uns aux autres. Une inductance (LKE) parasite au câblage de référence (4KE) est réglée de manière à être inférieure à une inductance (LG) parasite au câblage de commande (4G).
(JA) 複数の半導体素子(2)と、制御回路部(3)とを備える。並列接続された複数の半導体素子(2)を、同時にスイッチング動作するよう構成されている。制御回路部(3)は、同時に動作する複数の半導体素子(2)に接続した駆動回路(30)と、制御配線(4G)と、基準配線(4KE)とを備える。制御配線(4G)は、半導体素子(2)の制御電極(21G)と駆動回路(30)とを接続している。基準配線(4KE)は、半導体素子(2)の基準電極(21KE)と駆動回路(30)とを接続している。基準配線(4KE)に寄生したインダクタンス(LKE)を、制御配線(4G)に寄生したインダクタンス(LG)よりも小さくしてある。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)