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1. (WO2017169658) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication : WO/2017/169658 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/009721
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 10.03.2017
CIB :
G03F 1/24 (2012.01) ,G03F 1/26 (2012.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
22
Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p.ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet [EUV]; Leur préparation
24
Masques en réflexion; Leur préparation
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
26
Masques à décalage de phase [PSM phase shift mask]; Substrats pour PSM; Leur préparation
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
Inventeurs :
池邊 洋平 IKEBE Yohei; JP
Mandataire :
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; 東京都千代田区麹町5-3-1 麹町ビジネスセンター Kojimachi Business Center, 5-3-1, Kojimachi, Chiyoda-ku, Tokyo 1020083, JP
山村 大介 YAMAMURA Daisuke; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06426928.03.2016JP
Titre (EN) REFLECTIVE MASK BLANK, REFLECTIVE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a reflective mask blank which comprises a phase shift film that has low film thickness dependence of the phase difference. A reflective mask blank which is obtained by forming, on a substrate in the following order, a multilayer reflective film and a phase shift film that shifts the phase of EUV light, and which is characterized in that the phase shift film comprises an uppermost layer and a lower layer other than the uppermost layer and satisfies the relational expressions n2 < n1 < 1 and λ/4 × (2m + 1) - α ≤ n1d1 ≤ λ/4 × (2m + 1) + α. (In this connection, n1 is the refractive index of the uppermost layer at the light exposure wavelength λ of 13.5 nm; n2 is the refractive index of the lower layer at the light exposure wavelength λ of 13.5 nm; d1 is the film thickness (nm) of the uppermost layer; m is an integer of 0 or more; and α = 1.5 nm.)
(FR) L'invention concerne une ébauche de masque réfléchissant qui comprend un film à décalage de phase qui a une faible dépendance d'épaisseur de film de la différence de phase. Une ébauche de masque réfléchissant est obtenue par formation, sur un substrat dans l'ordre suivant, d'un film réfléchissant multicouche et d'un film à décalage de phase qui décale la phase de lumière EUV, et qui est caractérisée en ce que le film à décalage de phase comprend une couche la plus haute et une couche inférieure autre que la couche la plus haute et satisfait les expressions relationnelles n2 < n1 < 1 et λ/4 × (2m + 1) - α ≤ n1d1 ≤ λ/4 × (2m + 1) + α. (Dans cette connexion, n1 est l'indice de réfraction de la couche la plus haute à la longueur d'onde d'exposition à la lumière λ de 13,5 nm ; n2 est l'indice de réfraction de la couche inférieure à la longueur d'onde d'exposition à la lumière λ de 13,5 nm ; d1 est l'épaisseur de film (nm) de la couche la plus haute ; m est un entier supérieur ou égal à 0 ; et α = 1,5 nm.)
(JA) 位相差の膜厚依存性が小さい位相シフト膜を有する反射型マスクブランクを提供する。 基板上に、多層反射膜と、EUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜は、最上層と、最上層以外の下層とを有し、n2<n1<1、かつλ/4×(2m+1)-α≦n1d1≦λ/4×(2m+1)+αの関係を満たすことを特徴とする反射型マスクブランク。(ただし、nは、前記最上層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、nは、前記下層の露光波長λ=13.5nmにおける屈折率、dは、前記最上層の膜厚(nm)、mは、ゼロ以上の整数、及びα=1.5nm)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)